主题中讨论的其他器件:BQ25898、 BQ25620
工具/软件:
尊敬的团队:
您能解释 BQ25622上电时间(从 REGN 升高到 ISYS 升高)为什么比 BQ25898长得多吗?
240ms (在 BQ25622中)。
BQ25898中的40ms
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尊敬的 Kailun:
我已在实验室中进行了测试、可以确认从 REGN 导通到 VSYS 电压增加的上电时间在 BQ25622上的持续时间比数据表中显示的时间更短。 数据表采集是在具有 D+/D-特性的 BQ25620器件上进行的。
在我的测试结果中、BQ25622上的 REGN 导通至 VSYS 电压增加时间约为78ms。 (波形如下图)
BQ25898具有 REGN 导通至 VSYS 电压的时间、增加时间约为47ms。
总体而言、BQ25898预计具有较短的导通时间、但 BQ25622上的行为没有显著差异。
此致、
Garrett
尊敬的 Kailun:
请在下面查看我的评论。
首先、我同意、高电平两款器件具有相同的分步上电序列、但 BQ25622比 BQ25898更新了几代、并在其内部设计上存在各种差异。 这会导致从 REGN 导通到转换器启动的上电时间更长(即 VSYS 电压增加)。
更具体地说、我能够分享的一个区别是 BQ25622的内部时钟比 BQ25898慢大约20%。 这是 BQ25622时间为78ms (而 BQ25898上观察到的47ms)的一个因素。
此致、
Garrett