Thread 中讨论的其他器件：LMG1020、LMG1025-Q1 、 LM5113-Q1、LMG1205
工具/软件：
与传统的 MOSFET 栅极驱动设计相比、使用由专用 GaN 栅极驱动器控制的 GaNFET 的栅极驱动电路存在许多独特的电路和布局设计注意事项。 下面链接的资源将有助于解决常见问题
原理图和布局设计：
半桥和低侧电路的通用 GaN 驱动器原理图和布局建议应用简报：
https://www.ti.com/lit/ab/sluaam3/sluaam3.pdf
一款使用 LMG1020的激光雷达纳秒级激光驱动器参考设计。 本参考文档介绍了激光雷达和通用低侧 GaN 驱动器应用的电容器类型、FET 选择、输出过冲和其他设计注意事项：
https://www.ti.com/lit/ug/tidue52/tidue52.pdf
有关优化激光雷达应用的 GaN 栅极驱动器布局的深入应用报告。 本报告全面介绍了 LMG1020和 LMG1025-Q1器件的激光控制和 PCB 布局指南：
https://www.ti.com/lit/an/slla456/slla456.pdf
有关针对射频功率放大器应用优化 GaN 栅极驱动器布局的深入应用报告。 本报告全面介绍了使用 LMG1210设计射频功率放大器的指南、该 MCU 利用 GaNFET 的高开关性能通过包络跟踪提高效率：
https://www.ti.com/lit/an/snoaa44/snoaa44.pdf
有关如何将一个并联的外部自举二极管添加到具有内部自举二极管(例如 LM5113-Q1)的 GaN 驱动器的常见问题解答。 在开关频率非常高且使用了大电容自举电容器的应用中、这可能是必要的：
疑难解答：
应用简报概述 GaN 电源开关技术的结构优势和主要驱动参数。
https://www.ti.com/lit/ab/sluaam0/sluaam0.pdf
有关负 HS 电压和自举电容器过充的原因和解决方案的应用手册、此类过充可能对 GaN 半桥电路中的驱动器和晶体管造成破坏：
https://www.ti.com/lit/an/snvaa94/snvaa94.pdf
有关如何使用 LMG1210 GaN 驱动器的死区时间控制来优化转换器效率的应用报告。 该报告讨论了第三象限损耗、传播延迟变化影响和理想死区时间：
https://www.ti.com/lit/an/snva815a/snva815a.pdf
有关如何使用 LMG1205 GaN 半桥驱动器计算半桥电路中的功率损耗的应用报告：
https://www.tij.co.jp/jp/lit/an/snva723a/snva723a.pdf
组装：
WCSP 封装 PCB 和表面贴装组装指南：
https://www.ti.com/lit/an/snva009ai/snva009ai.pdf
正确处理敏感 WCSP 封装器件的指南：
