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[参考译文] UCC21710-Q1:适用于650V SiC MOSFET 的智能栅极驱动器选项

Guru**** 2378650 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1512957/ucc21710-q1-smart-gate-driver-options-for-650v-sic-mosfets

器件型号:UCC21710-Q1

工具/软件:

您好、

我们目前正在评估可与650V SiC MOSFET 搭配使用的栅极驱动器 IC。 虽然我们最初考虑了 UCC588x-Q1系列、但我们知道这些器件需要 NDA、这可能对我们来说很难继续。

因此、我们正在寻找符合以下条件的替代 TI 解决方案:
・智能栅极驱动器功能(如 IDRIVE 或等效器件)
・Ω 适用于驱动650V SiC MOSFET
・Ω 增强型隔离
・单通道(1CH)器件

如果有任何推荐的无 NDA 产品支持适用于具有增强型隔离的 SiC MOSFET 的智能栅极驱动功能、我们将非常感谢您提供的建议。

谢谢、

Conor

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Conor:

    UCC 21710Q1、UCC21750Q1满足所有需要的功能、但它们没有 Idrive (动态驱动强度)。

    目前、具有 IDRIVE 的关键器件仅来自隔离式栅极驱动器的 UCC5880。

    希望它有所帮助。

    谢谢

    Sasi