主题中讨论的其他器件: TPS548D22、 TPS546E25
工具/软件:
你好
在 TPS53819A 的数据表中、它规定了 3V 至28V 输入、40A 降压转换器、而在 TI Web 工作台中、没有适用于1.2V 40A 设计甚至1.2V 30A 设计的设计。 如果我使用额定电流为60A 而不是 CSD87350的 MOSFET、您能否说明此器件是否适用于40A!
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你好
在 TPS53819A 的数据表中、它规定了 3V 至28V 输入、40A 降压转换器、而在 TI Web 工作台中、没有适用于1.2V 40A 设计甚至1.2V 30A 设计的设计。 如果我使用额定电流为60A 而不是 CSD87350的 MOSFET、您能否说明此器件是否适用于40A!
是的、TPS53819A 可通过1.2V 输出和尺寸合适的 MOSFET 支持40A 负载电流。
MOSFET 电流额定值通常并不用于评估开关应用中其预期的载流能力。 相反、MOSFET 电流额定值通常基于其直流载流能力。
对于1.2V 输出、我不建议为顶部和底部 MOSFET 选择相同的 MOSFET 尺寸、因为它们的导通损耗和开关损耗非常不同。 通常、对于1.2V 等低输出电压、与高侧 MOSFET 相比、低侧 MOSFET 具有更低的 Rdson 和更高的额定电流、但实现精确的平衡将取决于设计的其他细节。
本文从2010年开始介绍了有关优化降压转换器中 MOSFET 选择的一些详细信息
您可能还需要使用两个单 MOSFET、而不是双 MOSFET (如 CSD87350)
如果您想考虑使用集成式转换器、可能需要考虑 TPS548D22或 TPS546E25、该器件将40A 和50A 功率级集成到具有 D-CAP 恒定导通时间控制器的单个封装中。
另请查看此主题。 TI 专家提到控制器最大电流不超过25A、这就是输出电压会下降的原因!!
我正在使用为此提供的 PSpice 仿真。 它已设置为1.2V、但随着负载的增加、电压会下降。 在模拟中、开关是理想的。
您确定开关是理想的、没有 Rdson 吗? 我认为 PSpice 模型中的开关具有建模的导通电阻、用于表示 MOSFET 的 Rdson。
TPS53819A 的电流限值由 TRIP 到 GND 之间的电阻器(simplis POST 到共用的原理图中的35.7kΩ)设置、并在低侧导通期间将跳变电阻器上的电压与低侧 MOSFET (SW2)上的压降进行比较。
数据表的第18页- https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tps53819a.pdf#page=18对此进行了更详细的说明
在仿真中、增大跳变电阻或减小低侧开关的导通电阻应该会提高电流能力。
奇怪的是、数据表中提到它使用 CSD87350、它主要适用于20/25A。 我认为此控制器可能不是为40A 而设计、[/报价]CSD87350只是数据表中提供的12V 至1.2V @ 20A 设计示例选择的 MOSFET、用于演示如何使用 TPS53819A 设计转换器。 TPS53819A 可为不同的应用使用范围广泛的 MOSFET、包括极低的电流(甚至低于1A)和高达40A 的电流。
40A 的最大建议电流是基于 MOSFET 驱动器电流能力5V (具有1.6Ω 上拉和0.6Ω 下拉)以及能够提供平均电流150mA 的5V LDO。