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[参考译文] TPS53819A:它是否在1.2V 下支持40A?

Guru**** 2390735 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS53819A, TPS548D22, TPS546E25
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1516587/tps53819a-does-it-support-40a-at-1-2v

器件型号:TPS53819A
主题中讨论的其他器件: TPS548D22TPS546E25

工具/软件:

你好

在  TPS53819A 的数据表中、它规定了  3V 至28V 输入、40A 降压转换器、而在 TI Web 工作台中、没有适用于1.2V 40A 设计甚至1.2V 30A 设计的设计。 如果我使用额定电流为60A 而不是 CSD87350的 MOSFET、您能否说明此器件是否适用于40A!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Amirhosein Akbari 

    是的、TPS53819A 可通过1.2V 输出和尺寸合适的 MOSFET 支持40A 负载电流。

    MOSFET 电流额定值通常并不用于评估开关应用中其预期的载流能力。  相反、MOSFET 电流额定值通常基于其直流载流能力。

    对于1.2V 输出、我不建议为顶部和底部 MOSFET 选择相同的 MOSFET 尺寸、因为它们的导通损耗和开关损耗非常不同。  通常、对于1.2V 等低输出电压、与高侧 MOSFET 相比、低侧 MOSFET 具有更低的 Rdson 和更高的额定电流、但实现精确的平衡将取决于设计的其他细节。

    本文从2010年开始介绍了有关优化降压转换器中 MOSFET 选择的一些详细信息

    https://www.electronicdesign.com/technologies/power/power-supply/dc-dc-converters/article/21192283/the-j-k-method-a-technique-to-select-the-optimal-mosfet 

    您可能还需要使用两个单 MOSFET、而不是双 MOSFET (如  CSD87350)

    如果您想考虑使用集成式转换器、可能需要考虑 TPS548D22或 TPS546E25、该器件将40A 和50A 功率级集成到具有 D-CAP 恒定导通时间控制器的单个封装中。

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    您好、Peter

    感谢您的答复

    我正在使用为此提供的 PSpice 仿真。 它已设置为1.2V、但随着负载的增加、电压会下降。 在仿真中、开关是理想选择。 奇怪的是、数据表中提到使用  CSD87350、它主要适用于20/25A。 我想这款控制器可能不是为40A 而设计的、而是用于驱动 CSD87350这种能力为40A 的开关!

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    另请查看此主题。 TI 专家提到控制器最大电流不超过25A、这就是输出电压会下降的原因!!

    https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/796920/tina-spice-tps53819a-tps53819a-start-up-voltage-cannot-be-changed-it-seems-the-output-voltage-is-been-fixed?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=TPS53819A#

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    Amirhosein Akbari 

    我正在使用为此提供的 PSpice 仿真。 它已设置为1.2V、但随着负载的增加、电压会下降。 在模拟中、开关是理想的。

    您确定开关是理想的、没有 Rdson 吗?  我认为 PSpice 模型中的开关具有建模的导通电阻、用于表示 MOSFET 的 Rdson。

    TPS53819A 的电流限值由 TRIP 到 GND 之间的电阻器(simplis POST 到共用的原理图中的35.7kΩ)设置、并在低侧导通期间将跳变电阻器上的电压与低侧 MOSFET (SW2)上的压降进行比较。

    数据表的第18页- https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tps53819a.pdf#page=18对此进行了更详细的说明 

    在仿真中、增大跳变电阻或减小低侧开关的导通电阻应该会提高电流能力。  

    奇怪的是、数据表中提到它使用  CSD87350、它主要适用于20/25A。 我认为此控制器可能不是为40A 而设计、[/报价]

    CSD87350只是数据表中提供的12V 至1.2V @ 20A 设计示例选择的 MOSFET、用于演示如何使用 TPS53819A 设计转换器。  TPS53819A 可为不同的应用使用范围广泛的 MOSFET、包括极低的电流(甚至低于1A)和高达40A 的电流。

    40A 的最大建议电流是基于 MOSFET 驱动器电流能力5V (具有1.6Ω 上拉和0.6Ω 下拉)以及能够提供平均电流150mA 的5V LDO。