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器件型号：LM5164-Q1 主题中讨论的其他器件：LV2862、 LM5164
工具/软件：
您好！TI 社区！
我正在设计一个使用一些 TI 器件的电路、一个是 LM5164、另一个是 LV2862器件。 在这两个器件的数据集中、都有一些布局指南来降低 EMI 并具有良好的器件性能、我注意了其中的一些建议。 看一下。
这是 LM5164布局指南、后跟布局示例。
下面是 LV2862的布局指南、后跟布局示例：
在这两种情况下、建议仅在"一处"将 GND 网连接至系统接地平面、以减少耦合到其他线路的噪声。 但在 LM5164中 、GND 引脚通过多个点连接到内部平面、并且在顶层还有一个连续 GND 平面…… 然后 C6丝印下有一个过孔、指示"GND 连接"、但我想"LM5164"下的散热过孔也是 GND 连接... 顶层是什么呢？
LV2862器件也是如此。 由于这种布局的顶部 GND 平面要小得多、并且按照指南中的建议、Cout 旁边只有2个过孔、因此有两个焊盘 GND1和 GND2将 GND 顶层与内部过孔(如果有)连接。
我的问题是 应该最好切断器件周围顶层的 GND 平面、并使用一些过孔只实现与内部平面的一个连接以优化 EMI、或者顶层平面可以是连续的、通过多个过孔连接到内部 GND 层、另外还要连接器件靠近输出电容器和器件下方的过孔？
太棒了！！
