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[参考译文] UCC5350-Q1:MC 和 SB 版本的优缺点

Guru**** 2380830 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC5350
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1520356/ucc5350-q1-pros-and-cons-of-the-mc-and-sb-version

器件型号:UCC5350-Q1
主题中讨论的其他器件:UCC5350

工具/软件:

您好、

 能否列出一下  优缺点  如何选择一个版本?

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    尊敬的 Zehui:

    分离输出版本允许您使用不同的关断电阻器和导通电阻器、而无需额外的二极管及其相关的二极管压降。 这可用于微调 FET 开关的效率与过冲间的关系。 然而、任何米勒注入电流都必须流入关断电阻中。 大于0的关断电阻器将直接增加 Vgs 米勒尖峰电压。

    米勒钳位引脚将为米勒注入电流提供0欧姆的阻抗、从而实现尽可能低的 Vgs 米勒尖峰。 它是一个与主下拉 NMOS 并联的额外 FET、因此与0 Ω 关断结合使用时、它可提供较低的米勒阻抗和更强的关断。

    我通常建议优化高压总线以消除开关节点振铃、而不会增加 Rg 和开关损耗。 因此、我建议使用具有最小 Rg (1-5 Ω)的米勒钳位版本。 UCC5350已具有非对称的内部 ROH (12欧姆)和 Rol (0.5欧姆)、这足以限制阻尼良好和去耦半桥中的振铃。 它可能只需要添加更多高压去耦和缓冲。

    此致、

    Sean  

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    您好 Sean、

     谢谢你的回答!

     是否有更直观的选择建议、例如在什么总线电压电平下需要米勒钳位?

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    尊敬的 Zehui:

    如果您使用更适合更高总线电压的 SiC FET 或 IGBT、分离输出就足够了。 如果使用 Si FET、可能需要米勒钳位。

    此致、

    Sean