[参考译文] UCC25600：轻负载下的 LLC MOSFET 突发

请使用以下计算器设计您的系统。

https://www.ti.com/tool/download/UCC25600-DESIGN-CALC

请分享您的功率级设计器屏幕截图、以便我能够了解在哪里可以获得低于1.6A 的波形。

在突发模式和空载下是否有任何测量的波形？

您好 Ning、

我在下面附上了一个文字文档、您可以在其中看到第一个图像根据我们的要求显示了输入参数、我们使用的元件值与工具本身中建议的值相同。

在磁化电流的第二个图中、我们可以变化的最小负载电流为1.6A、不能低于此值变化。

对于该工具计算的值、我们能否将电路加载到1.6A 以下？

因为我们在负载较轻时会遇到问题。

附件中的 PDF 文件是 UCC25600设计计算工具、我在其中输入了与 功率级设计器工具相同的规格、但两者的结果都有很大不同。  

请帮助您参考哪个文档。

Reards、

Dilip R

e2e.ti.com/.../2_5F00_-LLC-Query.docx  e2e.ti.com/.../2630.sluc146.pdf

Dilip、

我们需要一些时间来查看这些信息、然后才能回复您。

请与我们分享实际测量的波形、而不是 Power Stage Designer 进行的仿真。  

您好 Ning、

我在下面附上了针对不同负载的观察结果。

由于我们最后还在进行调试、因此如果您还需要一些其他波形进行分析、敬请告知。

从波形中可以看出、开关频率接近谐振频率、即100kHz、但每个负载几秒钟后半桥 MOSFET 仍会升温至>80度、为什么会这样？

死区时间设置为500ns

RT 引脚上的电阻器设置为：-

• 最小频率设置为60kHz  
• 最大频率设置为350kHz

此致、

Dilip R

e2e.ti.com/.../3_5F00_LLC-Query-to-TI.pdf

注意、如果需要更多波形、我们将通知您。

您有没有机会运行计算器来确认储罐参数？

您好 Dilip、  

MOSFET 在几秒的时间间隔内升温意味着存在热耗散问题。  
半桥 MOSFET 具有哪种散热？  
冷却 FET 中的损耗是否足以限制温升？

此致、
Ulrich  

您好 Ulrich、

我们设计的散热板采用铝材、足以散热。 加热似乎是由于其他原因。

• 我使用了 UCC25600的计算器和电源设计器工具、它们之间也存在一些差异、这些结果在同一个主题中会与您分享。
• 分析波形后、您是否发现 MOSFET 的行为存在任何问题？

此致、  

Dilip R

您好 Dilip、  

我无法从波形中确定过热的任何原因。  在大多数情况下、它们看起来正常。  
空载和0.5A 负载时的电流额外振铃表明从某个位置存在另一个谐振。  
我怀疑这可能是由于 Lr 或 Lm 的绕组电容造成的。

即使在轻负载期间、过多的功率耗散也可能是由于 ZVS 损耗所致、这在非常高的输入电压下会是一个大问题。  
请检查下部 MOSFET 的 VDS 波形、查看 ZVS 是否存在。   

注意：我明天将离开办公室、下周才可使用。  我会试着找人帮我盖好。  

此致、
Ulrich