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[参考译文] TUSB1142EVM:为什么 CC1 和 CC2 在原理图上发生翻转?

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS25820, TUSB1142EVM, TUSB1142

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1537811/tusb1142evm-why-are-cc1-and-cc2-flipped-on-the-schematic

器件型号:TUSB1142EVM
Thread 中讨论的其他器件:TPS25820TUSB1142

工具/软件:

您好:

查看 TUSB1142EVM 原理图。 为什么 TPS25820 的 CC1 引脚具有 1142_CC2 网络标签并连接到 USB-C 连接器上的 CC2 引脚?

U8 FET 是否已经反转*POL 以使其与 TUSB1142 的 FLIP/SCL 引脚正确匹配?  

谢谢、

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    您好、

    是、这被反转了两次。 此处使用的 CC 控制器是开漏引脚、因此它需要一个外部上拉电阻器来驱动高电平。 这意味着我们在驱动低电平时仍会上拉信号、从而导致争用。 由于该引脚的性质、我们必须使用 MOSFET 进行两次反相以确保正常工作。

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    尊敬的 Vishesh:  

    也许我的困惑来自 U8。 我以为这是一个 N 沟道  MOSFET。

    部件号表明它实际上是一个 Toshiba 2SK209-Y(TE85L,F) N 沟道  JFET。  它实际上是 JFET 吗?  www.digikey.ca/.../4305048

    我在 JFET 上没有很多经验、但似乎无法如原理图中所示关闭 JFET、因为栅极不能相对于源极设置为负。

    请说明:
    1) 为 U8 和 U9 N 沟道  MOSFET  N 沟道  源阻抗

    2) 如果是 MOSFET、能否提供正确的器件型号?

    3) 如果是 JFET、电路中的工作原理是什么?

    谢谢

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    您好、

    抱歉、在这个应用中、我交替使用了 MOSFET 和 JFET、因为电流驱动和电压驱动较低。

    MOSFET 和 JFET 之间的主要区别在于栅极。 MOSFET 具有一个绝缘栅极、JFET 在栅极具有 PN 结。 这会产生不同的性能、但在我们的例子中、功能和性能与数字逆变器相同。 (我们的功能功耗太低,抗噪能力太强,无法看到 MOSFET 和 JFET 功能之间有任何明显的差异)。

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    尊敬的 Vishesh:

    我认为  在本应用中、N 沟道 JFET 不能与 N 沟道 MOSFET 互换使用。  

    N 沟道 JFET 为耗尽模式、这意味着它将在未向栅极施加电压时导通。 这与 N 沟道 MOSFET 相反、该 MOSFET 通常处于关断状态、不会对栅极施加电压。

    N 沟道 JFET 需要在栅极上产生相对于源极的负电压才能关断。 在此应用中、JFET 根本不会关断、因为栅极不能相对于源极为负。

    如果 U8 和 U9 为 JFET、两者都不用作逆变器。

    当我测量 POLz 线(在 R17 处测量)时、它在两个 USB 器件方向(而不是预期的 0V 和 5V)之间切换 0V 和~0.6V。

    1) 在 POLz 的 Hi-Z 状态下、在 USB 方向之一、5V 至 100k R17 通过栅源 JFET 的 PN 结、从而测量到 0.6V 压降。 JFET 在此状态下开启、1142_FLIP 测量值接近 0V。


    2) 在 另一个 USB 方向上将 POLz 下拉至 0V 时、JFET 保持开启状态。 1142_FLIP 仍保持接近 0V。

    1142_FLIP 不会随任一 USB 方向而变化。 我认为在此应用中使用 N 沟道 JFET 而非 N 沟道 MOSFET 是错误的。

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    您好、

    抱歉、您造成的混淆、我想问 EVM 的设计人员。 我在这里可能有一个不正确的理解。  

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    您好、

    在 BOM 中、我们看到 U8 和 U9 列为 n 沟道 MOSFET。 它们是按照这一目的设计的、并且错误地使用了 JFET。  

    U8 为 DNI、已填充 U9、但不经常使用该函数。

    任何具有 3.3V 兼容 Vgs 电压的 n 沟道 MOSFET 都将生效。

    也可以按正常方向布线 CC1 和 CC2、并移除 MOSFET 逆变器。

    U8 MOSFET、N 沟道、50V、0.01A、0.15W、 SC-59-3P、SMD 2SK209-Y_TE85L、F_ SC59_3P Toshiba 半导体和存储 2SK209-Y_TE85L、F_ DNI 1.
    U9. MOSFET、N 沟道、50V、0.01A、0.15W、 SC-59-3P、SMD 2SK209-Y_TE85L、F_ SC59_3P Toshiba 半导体和存储 2SK209-Y_TE85L、F_   1.

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    尊敬的 Vishesh:

    这回答了我的问题、感谢您的帮助。