Thread 中讨论的其他器件:TPS25820、 TUSB1142
工具/软件:
您好:
查看 TUSB1142EVM 原理图。 为什么 TPS25820 的 CC1 引脚具有 1142_CC2 网络标签并连接到 USB-C 连接器上的 CC2 引脚?
U8 FET 是否已经反转*POL 以使其与 TUSB1142 的 FLIP/SCL 引脚正确匹配?

谢谢、
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工具/软件:
您好:
查看 TUSB1142EVM 原理图。 为什么 TPS25820 的 CC1 引脚具有 1142_CC2 网络标签并连接到 USB-C 连接器上的 CC2 引脚?
U8 FET 是否已经反转*POL 以使其与 TUSB1142 的 FLIP/SCL 引脚正确匹配?

谢谢、
尊敬的 Vishesh:
也许我的困惑来自 U8。 我以为这是一个 N 沟道 MOSFET。
部件号表明它实际上是一个 Toshiba 2SK209-Y(TE85L,F) N 沟道 JFET。 它实际上是 JFET 吗? www.digikey.ca/.../4305048
我在 JFET 上没有很多经验、但似乎无法如原理图中所示关闭 JFET、因为栅极不能相对于源极设置为负。
请说明:
1) 为 U8 和 U9 N 沟道 MOSFET N 沟道 源阻抗 ?
2) 如果是 MOSFET、能否提供正确的器件型号?
3) 如果是 JFET、电路中的工作原理是什么?
谢谢
您好、
抱歉、在这个应用中、我交替使用了 MOSFET 和 JFET、因为电流驱动和电压驱动较低。
MOSFET 和 JFET 之间的主要区别在于栅极。 MOSFET 具有一个绝缘栅极、JFET 在栅极具有 PN 结。 这会产生不同的性能、但在我们的例子中、功能和性能与数字逆变器相同。 (我们的功能功耗太低,抗噪能力太强,无法看到 MOSFET 和 JFET 功能之间有任何明显的差异)。
尊敬的 Vishesh:
我认为 在本应用中、N 沟道 JFET 不能与 N 沟道 MOSFET 互换使用。
N 沟道 JFET 为耗尽模式、这意味着它将在未向栅极施加电压时导通。 这与 N 沟道 MOSFET 相反、该 MOSFET 通常处于关断状态、不会对栅极施加电压。
N 沟道 JFET 需要在栅极上产生相对于源极的负电压才能关断。 在此应用中、JFET 根本不会关断、因为栅极不能相对于源极为负。
如果 U8 和 U9 为 JFET、两者都不用作逆变器。
当我测量 POLz 线(在 R17 处测量)时、它在两个 USB 器件方向(而不是预期的 0V 和 5V)之间切换 0V 和~0.6V。
1) 在 POLz 的 Hi-Z 状态下、在 USB 方向之一、5V 至 100k R17 通过栅源 JFET 的 PN 结、从而测量到 0.6V 压降。 JFET 在此状态下开启、1142_FLIP 测量值接近 0V。
2) 在 另一个 USB 方向上将 POLz 下拉至 0V 时、JFET 保持开启状态。 1142_FLIP 仍保持接近 0V。
1142_FLIP 不会随任一 USB 方向而变化。 我认为在此应用中使用 N 沟道 JFET 而非 N 沟道 MOSFET 是错误的。
您好、
在 BOM 中、我们看到 U8 和 U9 列为 n 沟道 MOSFET。 它们是按照这一目的设计的、并且错误地使用了 JFET。
U8 为 DNI、已填充 U9、但不经常使用该函数。
任何具有 3.3V 兼容 Vgs 电压的 n 沟道 MOSFET 都将生效。
也可以按正常方向布线 CC1 和 CC2、并移除 MOSFET 逆变器。
| U8 | MOSFET、N 沟道、50V、0.01A、0.15W、 SC-59-3P、SMD | 2SK209-Y_TE85L、F_ | SC59_3P | Toshiba 半导体和存储 | 2SK209-Y_TE85L、F_ | DNI | 1. |
| U9. | MOSFET、N 沟道、50V、0.01A、0.15W、 SC-59-3P、SMD | 2SK209-Y_TE85L、F_ | SC59_3P | Toshiba 半导体和存储 | 2SK209-Y_TE85L、F_ | 1. |