主题中讨论的其他器件：BQ34Z100-G1、UCC27714、 CSD19502Q5B
工具/软件：
您好、工程师：
我正在设计一个 100W 隔离式推挽式直流/直流转换器 (24V IN、12V/8A OUT、100kHz)、使用 BQ34Z100-G1 进行电池管理、UCC28C43 作为控制器、UCC27714 作为栅极驱动器、CSD19502Q5B NexFET。 我们面临：
μ s 持续的高频 EMI 尖峰：
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180–250MHz 时的尖峰与漏电振铃和 MOSFET 开关边沿对齐。
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添加了 100Ω+ 1nF + FRD RCD 缓冲器；部分改进、但增加了开关损耗和发热。
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展频略有帮助、但峰值在合规性方面仍然存在问题。
μ s MOSFET 过热问题：
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在 80W 持续负载下、尽管存在散热和~2m/s 强制气流、MOSFET 外壳温度仍会超过 85°C、这增加了可靠性问题。
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添加屏蔽可改善 EMI、但会增加热阻、从而导致进一步发热。
μ s 栅极驱动速度与 EMI/效率权衡：
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更快的开关速度（高 dV/dt）会显著提高 EMI。
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使用栅极电阻器进行减速会降低 EMI、但会增加开关损耗、从而提高温度。
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死区时间调优难以在避免跨导和保持 EMI 性能之间进行平衡。
寻求以下方面的建议：
μ s 1.在 UCC28C43 + UCC27714 推挽式拓扑中在不显著增加开关损耗的情况下减少漏电振铃的最佳实践？ （有源钳位或双缓冲器的可行性？）
μ s 2.在推挽式设计中调整 RCD 缓冲器参数而不造成过多功率损耗的 TI 推荐程序或实用技巧?
μ s 3.使用 UCC27714 防止跨导并控制 EMI 的建议死区时间调整范围或方法？
μ s 4. CSD19502Q5B NexFET 在高 dV/dt 应用中采用成熟的布局和屏蔽实践来管理 EMI、同时保持热效率？
μ s 5、在类似设计中,是否对 EMI 和热管理系统级优化进行了实际的项目波形比较或现场测试的见解?
变压器漏电流测量为~1uH、PCB 接地和返回路径经过精心优化、输入滤波是实心的。
若要在这种推挽式隔离式直流/直流设置中系统性优化 EMI 和热性能、任何参考设计、实用调试见解或测试波形都非常感谢。
提前感谢您的帮助！
