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[参考译文] BQ40Z50-R2:数据闪存损耗规格

Guru**** 2535750 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z50

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1560259/bq40z50-r2-data-flash-wearout-spec

器件型号:BQ40Z50-R2
主题中讨论的其他器件:BQ40Z50

工具/软件:

尊敬的 TI 专家

根据 TI 规范、闪存编程写入周期限制为 20,000 个周期。 这是否意味着每个闪存寄存器可以至少写入 20,000 次?

谢谢

Steven

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    您好:

    此问题已分配、并将在可能的情况下进行审核、同时请附加与项目关联的.gg/.log。

    谢谢您、
    Alan

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    您好、Steven、

    是的、在不同的应力条件下、电池会进入不同类型测试的鉴定周期。 对于闪存、我们是这样做的  X 个闪存周期的次数 选择磁性元件。 这有助于我们确保器件能够长时间工作。

    BQ40z50 是一款具有闪存功能的电量监测计、为了“记住“电池的 SoC、电量监测计需要写入闪存是最新状态(电压,电流,温度,周期等)。

    -米格尔