[参考译文] TPS65132：TPS65132W (80mA)- vs - TPS65132S (150mA)

您好、

我可以查看一下这种情况下的终端设备是什么吗？  最大负载是多少？

S 版本进行了一些设计更改以支持更大的负载、例如额外的余量和更大的 OCP 值...

BRS、

年轻

所讨论的显示器是双 0.49“ FHD micro-OLED。

顺便说一句、在环顾四周时、我们遇到了一个类似的讨论： e2e.ti.com/.../tps65132-tps65132wrvcr-output-voltage-drop。 文中触摸了将电感器从 2.2uH 更改为 4.7uH 的选项、并检查电感器饱和电流。 我们的电感器是 1269AS-H-2R2M=P2、在 2.2A 处饱和。

我们不担心 VPOS 输出、因为它附带 200mA 输出容量。 我们的典型 VNEG 负载是 2 x 30mA。 但是、OLED 供应商说、他们显示屏上的最大尺寸可以高达 2 倍 100mA。 他们没有解释如何可能出现如此广泛的差异。 我们还敦促他们了解高负载条件的持续时间、以及这是否可被视为瞬态干扰。

您好、

如上所述、S 版本意味着具有更大的余量和更大的 OCP 来支持更大的负载。 否则、它将受到余量和 OCP 的限制、然后输出电压下降。

根据您的应用、您能帮助分享规范以进行确认吗？ 或  通过邮件将规格发送至 young-zhao@ti.com。

BRS、

年轻

我们的布局设计人员报告了在进行“S"器“器件 BGA 布线时遇到的困难。 由于当时的项目计划处于火中,并且仅仅是为了节省时间,我们已经切换到了“W"部分“部分。 我们必须承认、由于其大型的“PowerPAD"，“，"W"、"W"看起来“看起来也“也更稳健。

虽然我们现在希望在下一个电路板版本中切换回“S"部分“部分、但在此之前、我们想知道在现有 PCB 的限制范围内是否可以采取任何措施来将 VNEG/AVEE 功能提升到 80mA 之外？

-我们有 I2C 访问,可以调整所有寄存器设置,可能提高 OCP 限制。  
-我们可以在 TI 器件周围使用更大的电容器
-如果您认为这样会有所帮助、我们可以将电感器从 2.2uH 增加到 4.7uH

这是为了征求您对这些权宜之计的评论、并征求有关在现有 PCB 框架中实现更高 AVEE 电流的其他想法。

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其他参考资料：
- e2e.ti.com/.../4004894
- e2e.ti.com/.../3411480

谢谢、这是非常好的信息！

您是否会建议使用输出电容值？ 您是否认为增加 CPN“飞行“帽也有好处？ 也许是输入电容器、值是多少？

您可以分享有关特殊“寄存器“和 SYNC 引脚机制的更多详细信息、这些机制使电路能够提供更多果汁。 可以说、鉴于“S"版本“版本没有大型 PowerPAD、“W"版本“版本确实不需要该冷却功能、这在“W"上“上本质上是多余的？！

鉴于我们的目标是在现有 PCB 的框架内改善情况、我们能否将您的建议总结如下：

-将 C157、C158、C159 从目前的 10 μ F 增加到 22 μ F

-将 L6 的电流从 2.2 μ H 增加到 4.7 μ H

请确认。 您还能量化此次升级的预期效果吗？

-是否有可能通过提供模拟前后的结果来巩固这个答案?！

您好、

我们的专家将尽快为您提供最新信息

...虽然在它,你能让他/她也评论的选项,提高“VNEG 电流能力的“S"部分“部分从其指定的 150mA 到,如果可能,类似 200mA 短期浪涌。

  -同样的方案,其中 L 和 Cs 是一倍,也在那里工作吗?

它会提供多少额外的果汁? 在这种情况下、是否有更好的方法、我们也可以自由更改原理图和布局、而不仅仅是 BOM？！

这是我们的 Rev.B 板的准备工作、它将把“W"替换“替换为“S"部分“部分、我们还在这里寻找设置“S"的“的方法、以实现超越和超越的电力输送性能...