工具/软件:
图 llu218“ISO5851 评估模块“用户指南(见下文)中的 6 未说明如何在此 ISO5851 评估板中生成 DESAT 波形以及如何实现。
相关的原始详细测试程序必须已保存在相关测试报告中、
不确定是否可以与我分享相关的 DESAT 相关测试组件和原理图及步骤、因此我们可以知道如何准确地实现该组件以获取相关图 6 波形?
这类信息将能够帮助使用此 ISO5851 评估板来执行相关 DESAT 测试的客户。
感谢您、期待在方便时收到 TI 的答复。
Yenwu lo

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图 llu218“ISO5851 评估模块“用户指南(见下文)中的 6 未说明如何在此 ISO5851 评估板中生成 DESAT 波形以及如何实现。
相关的原始详细测试程序必须已保存在相关测试报告中、
不确定是否可以与我分享相关的 DESAT 相关测试组件和原理图及步骤、因此我们可以知道如何准确地实现该组件以获取相关图 6 波形?
这类信息将能够帮助使用此 ISO5851 评估板来执行相关 DESAT 测试的客户。
感谢您、期待在方便时收到 TI 的答复。
Yenwu lo

您好 Yenwu、
我建议查看以下应用手册: 为 IGBT 和 SiC 电源模块选择适当的保护方法。 第 5 节包含有关 DESAT 电路设计的更多信息。
希望这对您有所帮助。
此致、
Muiz.
您好 Yenwu、
仅使用 EVM 捕获了用户指南中的波形。 未添加其他组件。
用户指南中包含的图是使用 EVM 的示例测量。 用户指南中提供了捕获信号的说明以及原理图。 在这种情况下、图 6 和图 7 显示了标题中的“IN+设置为 5VDC、向 RST 施加 10-µs 脉冲“、图 5 显示了 VCC2 和 VEE2 值。
希望这对您有所帮助。
此致、
Muiz Ishola。
谢谢你、Muiz、我可以在没有任何问题的情况下阅读与图 6 相关的字幕、我也理解图。 使用 EVM 板生成 6 个波形、
我的问题是、在 EVM 板中进行此相关测试的人实际上在测试中做了什么、所以他能够使蓝色 Dasat 波形上升、然后最终触发 DESAT 保护功能、如图所示。 6 相关波形、
这是因为这些步骤、相关设置和用于生成图 用户指南中根本没有解释 6 个相关波形、我认为使用此 EVM 电路板的人很难实际了解这些波形、也不需要遵循任何内容来生成图中所示的波形。 6、
因此、不确定 TI 是否可以与客户分享有关如何执行确切的测试步骤来生成图的相关信息。 6 相关波形。
期待在方便的时候收到您的反馈。
谢谢你。
Yenwu lo
尊敬的 Yenwu:
由于该用户指南于 2015 年发布、因此负责本用户指南的应用工程师不在 TI 工作。 我可以在这里提供一些我的理解。
我认为在测试中、集电极端子保持悬空、这样可以在输出为高电平时让 DESAT 节点充电、因为从集电极到发射极没有低阻抗路径。 首先切换 nRST 引脚以将器件复位。 在 nRST 引脚切换后、由于内部电流源为电容器充电、DESAT 电压会上升。 当 DESAT 电压达到阈值时、nFLT 和输出变为低电平、器件需要再次复位、然后输出才能再次变为高电平。
希望这对您有所帮助、
Vivian
谢谢、Vivian、大家好、我理解您刚才所说的、
但我的主要问题是评估板中实际使用或涉及并实施的额外器件和设置、这将导致 DESAT 电压上升并达到阈值、因为用户指南中没有提到这一点、
我认为、如果不使用额外的器件和设置、DESAT 电压将无法自动上升到阈值、
那么、您是否知道使用了什么额外的器件或设置来生成 DESAT 电压以上升并达到阈值?
谢谢你。
Yenwu lo
尊敬的 Yenwu:
无需其他元件。 当您未在 EVM 上填充任何 IGBT/FET 并打开输入时、应该会出现波形。
当输入开启时、DESAT 充电电流从 DESAT 引脚流出。 此时、如果连接了 IGBT/FET,则输出将开启电源开关,从而在集电极 — 发射极端子之间形成低阻抗路径,从而允许电流流经 IGBT/SiC FET。

如果未连接 IGBT/FET、则不存在这个低阻抗路径、从而导致 DESAT 充电电流流入消隐电容器、为电容器充电并提高 DESAT 电压

我以前做过一些类似的实验。 通过简单地开启输出并使集电极端子保持悬空、DESAT 电压会上升。

希望这对您有所帮助、
Vivian