主题中讨论的其他器件：LM74502、 LM74930
工具/软件：
大家早上好。
我在 VsMAX =160V 时通过负载突降 ISO16750-2 时遇到了一些问题（脉冲 1、脉冲 3a、3b 等 24V 系统的其他脉冲正确通过而不会损坏）
目前 LM74502Q 似乎能承受最大 100V 的负载突降脉冲、但当我尝试达到客户测试列表所要求的 160V 时、LM74502Q 就崩溃了。
用于上一次测试的电路如下所示
该电路配置为有源限制器（OV 钳位）、最大输出电压约为 34V。
在 28V 时流经 MOSFET 的最大电流约为 200mA。
使用的 MOSFET 是 Vishay SQSA70CENW (VDS 最大 150V、每个 540pF 的 Ciss 最大值、VGS 最大 15V))
电路会尝试调整数据表中用于承受 200V 未抑制负载突降的电压（请参阅下面的参考）。
导致这种行为的一个可能原因是它可能放置在 LM74502 之后的 LC 滤波器。
在基准测试期间、我注意到在输出电压钳位的情况下、会出现周期性的负尖峰（约 200ns 时非常快、最大值为–15V）、如下图所示。
测量是在 Q49 的排卸上进行的。 绿色通道。
负脉冲缩放以下。
这些负峰值可能是过压钳位期间电路故障的可能原因？
我注意到、在正常运行期间、VS 上的另一个周期性压降是由 R224（中具有 28V 电池的 4V）引起的（可能与内部电荷泵所需的电流和齐纳限流电阻器的高值有关）。 （请参阅下面的红色通道）
在 LM74930 的数据表中可以看到、您在 MOSFET 和 VS 的公共源极之间放置了一个二极管、用于在正常运行期间降低该压降。
这个解决方案也可以用于 LM74502。 （请参阅下文以供参考）
我还要想到的另一点与 VS 和 VCAP 之间连接的电容器的值有关。
所用 MOSFET 的 Ciss 最大值为 540pF、因此总电容应约为 1nF。 DS 指出 VCAP 应至少为总 Ciss 的 10 倍。 我用了 1uF... 您认为可能太多？
如果您对电路中使用的元件值有任何其他建议、我们非常感谢！
感谢您发送编修。我们会重新检视您的建议。
