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[参考译文] TPS546E25：TPS546E25RXXR

admin
Guru**** 2580615 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1553062/tps546e25-tps546e25rxxr

器件型号：TPS546E25


工具/软件：

您好、

是 BPM Microsystems 的器件支持工程师。 我们需要对器件“TPS546E25RXXR"的“的 NVM 进行编程。

您能否向我们提供具有写入/读取命令的示例.csv 文件？

谢谢！

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    TI__Guru**** 2580615 points
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    您好：

    我会努力解决这个问题、然后返回给您

    谢谢、

    Calan

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    TI__Guru**** 2580615 points
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    你能不能把这件事告诉我? 谢谢！

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    TI__Guru**** 2580615 points
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    当然,我正在内部进行这方面的工作,并将尽我所能在明天发表答复。

    谢谢、

    Calan

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    TI__Guru**** 2580615 points
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    Vigita S  

    “我不会骗你的。“

    我们有 2 个 CSV 文件、可将器件编程回其默认状态、具体取决于 MSEL1 是选择内部反馈分频器、这允许对 VOUT_SCALE_LOOP 进行编程、还是允许对 VOUT_SCALE_MONITOR 进行编程的外部反馈分频器

    这些 CSV 文件采用从左到右按字节发送顺序列出的多字节数据格式。

    字数据列示为 0xLLHH、其中 LL 是低字节、HH 是高字节

    块数据列为 0xBB0011223344、其中 BB 是块字节计数、而 00、11、22、33 44 是字节 01、02、03、04、按器件发送的顺序排列。

    标头中列出了这些约定

    e2e.ti.com/.../TPS546E25-116.0-Address-17-PMBus-Programr-ScriptDefault_5F00_externalFB.csv 

    e2e.ti.com/.../TPS546E25-116.0-Address-17-PMBus-Programr-ScriptDefault_5F00_internalFB.csv

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    TI__Guru**** 2580615 points
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    我尝试了数据文件。 在写入命令 0x2A 时失败。 您能解释一下原因吗？

    另外,我尝试跳过该寄存器,看看会走多远。 它一直编程到结束、但编程后读回时看不到新编程的数据。  

    我缺少什么吗？

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    TI__Guru**** 2580615 points
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    请就此提供建议。 谢谢！

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    TI__Guru**** 2580615 points
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    命令 2A 是 VOUT_SCALE_MONITOR、这意味着您正在使用外部反馈脚本。

    当该器件通过 MSEL 1 电阻配置为内部反馈时、VOUT_SCALE_MONITOR 不可编程。

    尝试使用内部反馈编程脚本、并通过强制将 EN 引脚设置为低电平来确保器件已禁用。

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    TI__Guru**** 2580615 points
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    如何使器件获得外部反馈...以便我可以对所有 NVM 寄存器进行编程？

    此外、在发出 STORE 所有命令并对器件进行编程后、新数据不会存储在 NVM 中、请就此提出建议。 谢谢！

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    TI__Guru**** 2580615 points
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    请就上述问题提供建议。 谢谢！

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    TI__Guru**** 2580615 points
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    您好：

    请给我们一些时间来回应这一问题、因为目前客户支持非常繁重

    感谢您的耐心

    Calan

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    TI__Guru**** 2580615 points
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    您好：

    要从内部反馈修改为外部反馈、您需要修改连接到 VSEL/FB 等的反馈电阻 如果您当前设置为内部反馈、则我假设您在 VSEL 与 AGND 之间连接了一个电阻器。 需要通过移除该电阻器、而是在 VOSNS 与 VSEL/FB 之间连接一个高侧电阻器并在 VSEL/FB 与 GOSNS 之间连接一个低侧电阻器来更改此设置。 您还需要将 MSEL1 电阻器选择从内部 FB 更改为外部 FB。 下面显示了一个外部 FB 原理图和 MSEL1 表的示例：

    请告诉我您存储到 NVM 时的确切过程。 如果可能、还请分享屏幕截图。 是否对器件进行下电上电？

    谢谢、

    Calan

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    TI__Guru**** 2580615 points
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    我将 FB 连接到 GND。 此外、MSEL1 连接到 GND

    因此、我只需移除 FB 与 GND 的连接、并通过值介于 22.1k 和 243k 之间的电阻器将 MSEL 连接到 GND

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    TI__Guru**** 2580615 points
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    我将 FB 连接到 GND。 此外、MSEL1 连接到 GND

    因此、我只需要移除 FB 与 GND 的连接、并通过值介于 22.1k 和 243k 之间的电阻器将 MSEL 连接到 GND。

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     Vigita S  

    因此、我只需移除 FB 与 GND 的连接、并通过值介于 22.1k 和 243k 之间的电阻器将 MSEL 连接到 GND？

    不需要移除 FB 至 GND 连接。

    将 MSEL1 更改为 GND 到 22.1k 和 243k 之间列出的电阻值之一将使 VOUT_SCALE_MONITOR 可编程、但会阻止 VOUT_SCALE_LOOP 可编程、因为此命令会配置内部分压器。

    我不是更改电阻器、而是重复我之前的建议： 使用标记为“内部反馈“的编程脚本、而不是使用标记为外部反馈的编程脚本。

    但是、如果您的应用将使用外部反馈、您可以将 MSEL1 更改为 GND 电阻器、然后使用标记为外部反馈的编程脚本。

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    事实就是这样。 客户与我们共享了一个数据文件。 它具有 0x2A 和 0x29 寄存器。 每天、我们可以根据内部或外部配置权限对 0x2A 或 0x29 进行编程？

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    另外,当我尝试用值 B80h 编程 24h 时,当我读回时,我看到了 B8Fh。 有什么解释吗？

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    另外、当我尝试用值 B80h 编程 24h 时、当我回读时、我看到的是 B8Fh。 是否有任何解释？

    是的。  VOUT_MAX 的 NVM 存储不存储最低 4 位 NVM 数据。  从 NVM 恢复时、VOUT_MAX 将针对低 4 位以“F"的“的值恢复、以避免将 VOUT_MAX 设置为低于编程值。

    同样、VOUT_MIN 的 NVM 存储不会存储最低 4 位的 NVM 数据、从 NVM 恢复时、VOUT_MIN 将为最低 4 位恢复值“0"，“，以、以避免将 VOUT_MIN 设置为大于编程值。

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    TI__Guru**** 2580615 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    这对我们有所帮助。 谢谢。

    因此、我们在进行模块设计时、客户可以选择使用内部或外部编程。

    内部已超级成功。

    但当在外部反馈配置中进行编程时、我们注意到 D1 寄存器编程不成功。 外部反馈配置是否会影响这一点？

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    TI__Guru**** 2580615 points
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    Vigita S  

    命令代码 D1h (SYS_CFG_USER1) 包含可通过引脚检测编程的 2 位

    位 15 是 FCCM、这是通过 PMB_ADDR/VORST#引脚进行编程的轻负载运行模式。

    如果 ADDR_VORST#电阻器选择一个具有强制连续导通 (FCCM) 功能的地址 、那么即使在编程期间将其编程为 0b、器件也会在设置该位时恢复。

    位 4 是 EXT_DIV 位。  如果 MSEL1 电阻器设置为使用外部分压器、则该位将设置为 1b。

    您可能会尝试将 0000h 编程到命令中并在编程后读回 8010h、因为 MSEL1 会选择外部分压器、PMB_ADDR 引脚会选择具有 FCCM 运行模式的地址。

    您可以更新编程脚本以将 D1h 设置为 8010h （检查脚本中使用的字节顺序条目，它可能是低字节，高字节，您需要将其更改为 1080、或者您可以将回读时的预期更新为 8010h、而不是 0000h 写入。