[参考译文] LM317：LM317 数据表遵循 PCN：旧芯片与新芯片

您好、Sebastien、

Im 不确定您的第一个问题是什么意思。 您能否详细说明或提供您所指内容的屏幕截图？ 什么意思是  Rthja 似乎是反转的?

对于瞬态响应问题、我不知道我们为什么在不同的参数下测量线路和负载瞬态、如果需要、我可以询问是否需要。 方面的优势、可以通过查看 5.5 电气特性（旧芯片和新芯片）  表中的表格显示、线路瞬态的性能相对相同、但在负载瞬态上略有不同：

在购买旧裸片方面、我可以研究一下我们是否能够运送旧裸片（旧芯片）、但我们正在将所有旧材料过渡到新芯片材料。 如果可以、您对 LM317MQ 或 LM317 的旧材料有何看法、具体有哪些 OPN？  

希望这有助于

Jorge Del Rio

产品营销工程师|中宽 LDO |工业部门

尊敬的 Jorge：

RTHJA：

对于 LM317、旧芯片的热阻抗为 67°C/W、新芯片的热阻抗为 60°C/W（因此新芯片的热阻抗更小）。 而在 LM317MQ 中、传统芯片的 Rth 是 60°C/W、而新芯片的 78°C/W 则更高（因此在新芯片中更高）。 我不明白为什么 Rth 的演变不是以同样的方式..

瞬态响应：

对于线路和负载调节可以、但不是瞬态情况。  比较旧器件的 LM317MQ (P17)> Vout = 10V 而新芯片中 Vout = 1.25V 的图 7.3 和 7.4。 另请比较图 7.5 和 7.6、 Vout 的情况相同... 如果我们与之前保持相同的 Vout 条件、结果是否相同？ 我需要证明如果测试结果中的条件>数据表中的相同、新芯片对当前设计没有影响

我再说一遍、但似乎新 RFAB 工厂中芯片尺寸的缩小对芯片和性能有影响... 是否有可能购买旧工厂模具（我猜是 SFAB）？ 这是什么?

令人遗憾

S é bastien

您好、Sebastien、  

对于 LM317：

当使用表面贴装封装 (SOT-223) 时、通过增大热连接至封装的 PCB 铜面积来降低热阻。 热性能信息（新芯片）表中介绍了这一点。 请查看  8.5.1.1.1 散热器要求 规格信息。 通常、较大的芯片尺寸会导致更好的热性能、因此会增加通道元件的尺寸。 有时是因为散热焊盘已膨胀。

对于瞬态：

在新器件上、瞬态响应看起来相当相似、但效果稍好一些。 实际上、这主要由相位裕度决定、因此与 PSRR 大致对应、这在>10kHz 区域也非常相似 (PSRR 规格变化是 120Hz)。 这意味着与传统/新电容器相比、输出电容器的选择对其的影响要大得多。

购买旧材料（旧芯片）：

遗憾的是、购买此设备时、您会混合使用新旧材料、直到我们完全清除旧材料。 一旦所有旧材料耗尽、所有器件都会使用新的芯片材料。  

您好 Jorge

LM317：
我知道 Rthja 受铜面积或裸片尺寸的影响、但我的问题不在这里。 我的问题是为什么 2 个数据表 (LM317 和 LLM317MQ) 存在差异、因为我们知道 Rthja 始终具有最小的铜面积、而且我们知道 LM317 与 LM317MQ（我猜）是同一个芯片？
所以我再次问您我的问题：对于 LM317、旧芯片的热阻抗为 67°C/W、新芯片的热阻抗为 60°C/W（因此新芯片的热阻抗更小）。 而在 LM317MQ 中、传统芯片的 Rth 是 60°C/W、而新芯片的 78°C/W 则更高（因此在新芯片中更高）。 我不明白为什么 Rth 的演变不是以同样的方式.. 哪个数据表说明了真相？

瞬态：
你不能说响应是相似的,而它不是 tsted 在相同的条件下。 因此、如果它没有在相同条件下进行测试、我们不能说行为是相似的... 此外、我看不到输出电流瞬态响应与 PSRR 之间的关联。 PSRR 与输入电压交流电压相关、而不是快速输出电流瞬态。 因此、在 Vout = 10V 或 3.3V 的情况下、瞬态仿真结果或测试结果是否与之前（传统）>图 7.4 和 7.6（新芯片）相同？

购买：
是否不可能在特定采购中购买 SFAB 芯片？因为我几周前因 SN74HC 栅极出现问题而购买了 SFAB 芯片？？？

此致、
S é bastien