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1. GaN 器件通过通道而不是体二极管反向传导电流。 当反向施加电流时、源极和栅极电势被驱动至高于漏极电势、此时通道开始导通。 （本文中有更多详细信息：www.ti.com/.../snoaa36.pdf）。 由于 GaN 器件会通过通道而不是二极管导通、因此没有反向恢复时间、因此死区时间可能会大幅缩短。 反向导通时的压降高于体二极管、因此在这种模式下、必须尽量缩短时间、例如尽可能缩短死区时间。
2. GaN 的低电容和 集成 GaN 器件在栅极环路路径中的寄生效应非常低、因此我们没有遇到米勒接通的问题。
