[参考译文] LM5156：Lm5156 隔离反激式电路和 MOSFET 过热

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1602496/lm5156-lm5156-isolated-flyback-circuit-and-overheating-mosfet

器件型号： LM5156
主题中讨论的其他器件： LM5155

想了解我遇到的设计问题。 我有一个来自 webench 的电路、它导致 MOSFET 过热。 我添加了 RCD 缓冲器、它可以很好地击穿漏极上的振铃信号、但 MOSFET 仍然过热 (70°在 1A 时>RCD)

 该设计为 17V 36V 输入和 24V 输出 60W。 隔离型反激式配置中的一个。 我还更改了不同的 FET、看看是否可以获得任何改进、结果最多微不足道。 那么、任何人都可以提供有关其他原因导致 FET 过热的任何信息吗？ 关断时间似乎合理、大约为 3040ns 至 40ns、导通时间约为 20ns、栅极信号看起来足够干净。

我所做的-  

添加了 RCD 缓冲器以将 VDS 保持在 90V 以下 (MOSFET 为 100V DS)-没有帮助

在漏极到源极之间添加了电容器 — 没有帮助

更改了具有不同（较低）RDS ON 和总电荷的 FET — 无帮助

降低开关 FZ — 没有帮助

我的所有电路值也输入到反激式 LM5155/56 的 TI 快速入门计算中、这似乎与 Webench 一致

最后,我还有另一个反激式设计与完全不同的部件是做同样的事情。 任何负载超过 500mA 时过热 (> 70°)。 所以我在我的计算器和设计中遗漏了一些我似乎找不到的东西。 是否有其他建议可以解决此问题？   

我尝试上传原理图和 BOM、但失败不断。  

谢谢！