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[参考译文] UCC27301A:高侧 VGS 下低侧 VGS

Guru**** 2771165 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1600666/ucc27301a-high-sidevgs-lower-low-side-vgs

器件型号: UCC27301A

您好的团队、

您能否给出一些建议、为什么高侧 Vgs 更低的低侧 Vgs?  

CH2 是 HO、CH3 是 LO、我认为 12V-0.7(V)=11.3V HO 是正常的。  

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    尊敬的 Jimmy:  

    这些是在启动时还是正常运行时获取的?

    我怀疑这是因为旁路电容器没有足够的电容为自举电容器供电。  请注意、我们确定自举电容器(HB-HS 之间)大小的典型建议是使用 10 倍负载电容的电容器。 我们还建议使用两个旁路电容器 (VDD - COM)。 第一种电容器是较小的≥100nF 电容器、应将其放置在尽可能靠近驱动器引脚的位置、以降低噪声。 第二个电容器应为较大的≥μ F 1µF 电容器、用于在开关期间稳定驱动器的电源。 我们还建议旁路电容器的值为自举电容器的≥10 倍。 对于 1uF 的自举电容器、建议使用 10uF 旁路电容器。


    如果上述建议无法解决问题、请让他们发送以下波形:
    在获取波形时、请确保他们将这些波形尽可能靠近驱动器的引脚。 为了减少测量中因噪声而产生的误差、请使用尖端和接地筒探头或差分探头进行测量。

    -在一个图上: VDD - VSS、HB-HS、HO-HS 和 LO
    -在单独的图上,LI、HI、LO 和 HO

    此致、

    Amy

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    您好的团队、

    谢谢支持。 CBS 更改为 1uF 时可以高达 12V VGS。

     自举电容器(HB-HS 之间)  

    但数据表建议该值为 0.022uF~0.1uF。 但此转换更改为 1uF。 还可以吗?

    另一个问题是如何减小低侧 VGS 的负边沿蓝色波形? 谢谢  

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    尊敬的 Jimmy:

    Amy 目前在休假期间不在办公室。 她 应该能够在 1 月 5 日回来时做出回应。

    此致、

    Will

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    尊敬的 Jimmy:  

    从技术上讲、自举电容器没有上限、但电容值越大、完全充电所需的时间就越长。 同样、 我们 建议较大旁路电容器的值为自举电容器的≥10 倍。 这应该是对较小的≥100nF 旁路电容器的补充。 对于 1uF 的自举电容器、建议使用 10uF 大旁路电容器。  

    至于低侧下冲、似乎是在高侧 FET 仍导通时发生的。 我想知道是否存在某种重叠、导致这种重叠是由于上升和下降时间较慢所致。 您可能需要进一步调整导通和关断电阻器、尝试减小其值、或在 LI 和 HI 信号之间手动添加一些死区时间。

    此致、

    Amy