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[参考译文] LM5148:降压转换器的原理图审阅

Guru**** 2767655 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5148

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1604982/lm5148-schematic-review-of-buck-converter

器件型号: LM5148

我们正在为我们的一个客户设计 Nvidia Thor T5000 载板、作为制造商审查流程的一部分、我们必须与相应的制造商一起审查原理图部分。  

 

我们使用了以下规格中的 LM5148

  • Vin = 24V-48V 直流
  • VOUT = 19V DC
  • IOUT 最差= 12A
  • IOUT 典型值= 9.2A
  • Iout 最大值= 11.2A
  • HS MOSFET P/N#= Infineon N-Ch BSZ099N06LS5ATMA1
  • HS MOSFET 的数量= 2
  • LS MOSFET P/N#= Infineon N-Ch BSZ065N06LS5ATMA1
  • LS MOSFET 的数量= 1(为通用 LS MOSFET 提供 DNI 选项)
  • 散热器=提供给所有 MOSFET。
  • MOSFET 放置=全部位于顶层。

TI 专家的人能不能回顾原理图?

thor_t5000_carrier_board_sch_main_mfg_power.pdf 

 

另外、请找到下面所示的 LM5148 的 FET 损耗计算表。

我们在概要中使用了 2 个 HS MOSFET、因此我为 Qg、Qgs、Qgd、Crss、Ciss 完成了 2 个 MOSFET。 为 RDS (on) 提供一半的设计。

因此、我希望在我们使用简单的 MOSFET 时、HS MOSFET 计算器中显示的结果功率损耗将除以 2。

LM5148_LM25148_quickstart_calculator_VIN_24V.pdfLM5148_LM25148_quickstart_calculator_VIN_48V.pdf 

LM5148_LM25148_quickstart_calculator_VIN_48V.zipLM5148_LM25148_quickstart_calculator_VIN_24V.zip 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Abhi:

    在 MOSFET 选择方面、我建议使用 5mm x 6mm 封装(例如 Infineon BS C ) 以获得更好的热性能。 使用一个器件可能会有所帮助。 两个并联的 FET 具有固有的寄生效应、可能会影响开关。

    原理图注释:

    1. 移除低侧 FET 栅极电阻器(即使 0Ω 也会增加 ESL)。
    2. 使用良好的布局技术来避免 RC 缓冲器(请参阅应用手册 SNVA803)。 如果需要 RC 缓冲器、请将电阻器连接到 GND(散热更好,测量功率损耗更容易,SW 上的面积更小)。
    3. 无需 R573、因为如果 VOUT 引脚上存在偏置电流、它可能会导致电流检测失调。
    4. 无需在 VIN 引脚上连接 10uF /100V 电容器。 0.1 μ F 的小电容器就足够了、布局更好。
    5. 对于 12A 直流输出电流、2mΩ 分流器可提供 30A 峰值电流 limit...seems、位高。 3mΩ 应该没有问题。
    6. 检查快速入门指南中输入的 Cout 和 ESR 值、因为在 19VDC 时、每个 22uF/25V 陶瓷电容器的电容只为几 uF。 这会影响补偿。

    此致、

    Tim