Other Parts Discussed in Thread: UCC28780
部件号: UCC28780
据数据表建议、通过 SW 引脚对芯片进行初始充电时使用耗尽型 FET。 但是、采用高压封装的耗尽型 FET 非常有限、或者直至大到无法实现这一目的。
是否可以使用增强模式 FET 欺骗 SWS 和 hvg 电路? 我计划将该芯片用作第二级直流/直流转换器、并且已经设置了主 VDD。 假设我使用该电源并且仍使用辅助绕组进行 VS 检测、芯片可以开始运行吗?
我 特别担心 hvg 稳压器开始启动并需要 10-25us 时序时的启动序列、否则它将检测到开路故障。
此外、如果我设法欺骗了它、那么 通过 SWS 引脚的 Vsw 检测中是否存在任何问题? 我认为这样做应该同样有效、当 vsw 降低时、无论是使用增强/耗尽模式 FET、QS 开关的作用都是相同的。 为什么该芯片设计团队更倾向于使用耗尽模式、这是否有原因?
建议的 ckt 如下: 