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[参考译文] UCC28780:UCC28780:使用增强模式 FET 的 SWS 和 HVG 引脚

Guru**** 2756835 points

Other Parts Discussed in Thread: UCC28780

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1608167/ucc28780-ucc28780-sws-and-hvg-pin-using-enhancement-mode-fet

部件号: UCC28780

据数据表建议、通过 SW 引脚对芯片进行初始充电时使用耗尽型 FET。 但是、采用高压封装的耗尽型 FET 非常有限、或者直至大到无法实现这一目的。

是否可以使用增强模式 FET 欺骗 SWS 和 hvg 电路? 我计划将该芯片用作第二级直流/直流转换器、并且已经设置了主 VDD。 假设我使用该电源并且仍使用辅助绕组进行 VS 检测、芯片可以开始运行吗?

 我 特别担心 hvg 稳压器开始启动并需要 10-25us 时序时的启动序列、否则它将检测到开路故障。

此外、如果我设法欺骗了它、那么 通过 SWS 引脚的 Vsw 检测中是否存在任何问题? 我认为这样做应该同样有效、当 vsw 降低时、无论是使用增强/耗尽模式 FET、QS 开关的作用都是相同的。 为什么该芯片设计团队更倾向于使用耗尽模式、这是否有原因?

建议的 ckt 如下: hvg ckt.png

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    你好

    我正在研究这件事、明天就让你知道

    谢谢你

    Rohan

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    你好

    我计划将该芯片用作第二级直流/直流转换器、并且已经设置了主 VDD。 假设我使用该电源、但仍使用辅助绕组进行 VS 检测、 你能解释一下,这是什么意思吗? 这意味着您会使用此可用电源为 UCC28780 的 VDD 供电吗?

    您将如何在启动期间向增强型 MOSFET 提供栅极信号?

    如果 HVG 引脚电压在 chvg 放电期间在不到 10-25us 内达到 11V、则会触发 HVG 引脚开路故障。  

    耗尽型 FET 导通、Vgs 为零、因此将通过该 FET 对 VDD 进行充电。

    有关更多详细信息、请参阅 HVG 和 SWS 引脚的引脚信息部分 7.3.5。

    此致

    Rohan

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    尊敬的 Rohan:

    感谢您的答复。

    我将电路贴到了原始帖子中。

    Vsw 是反激式器件的开关节点。 电阻器将提供为 FET 栅极充电的路径、栅极只能充电至齐纳二极管的电压。 (我可能会使用 18V 至 20V 齐纳二极管来达到 VDD 的 UVLO 阈值)。

    当达到 UVLO 时、HVG 稳压器将右侧打开、我需要满足时序要求、这样它就不会出现开路故障? 我可以对流经电阻器的电流进行微调、以满足 10-25us 时序要求。  

    对于 VDD、它可以由 I 为我的第一级设置的电源供电、甚至可以稍后从 AUX 绕组中拉出。

    此致

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    你好

    如果 UCC28780 的 VDD 已由设置为第一级的电源供电、则在 VDD 达到 VDD (ON) 时立即供电;HVG (11V) 稳压器连接到 HVG 引脚、并且如果在不到 25 μ s 内发生、则 chvg 将放电至 11V(通过 HVG 引脚放电、11V 稳压器会灌入电流)、如果在不到 25 μ s 内发生、则会触发 HVG 上的开路故障。

    由于 VSW 将大于 VHVG、因此 chvg 无法通过所连接的电阻进行放电。

    此致

    Rohan

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    尊敬的 Rohan:

    假设 vsw 的最大值是 600V。 如果电阻梯约为 15Meg、则电流将仅约为 40uA。 数据表显示 HVG 可实现最低 55uA 的灌电流。 如果是这种情况、chvg 仍将能够正确放电。 我可以进一步调整电容或电阻梯、以避免开路故障触发。

    此致

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    你好

    由于 HVG 引脚从 VSW 和 chvg 灌入电流、因此 chvg 似乎会缓慢放电。

    我建议确保正确选择齐纳额定值。

    此致

    Rohan