[参考译文] BQ25155：充电期间的电池 IC 损耗

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号： BQ25155

您好：

我们正在寻找一款电池充电和保护 IC、能够更大限度地降低有效充电期间的损耗。电流范围只需高达~μ A 500mA、如果这有助于优化损耗、我们的输入可以提供一些电压/电流限制。

到目前为止、我们最喜欢的 IC 是 BQ25155。假设我们可以在充电周期内动态优化输入电压、预计可以实现的最低损耗是多少？

或者、我们是否应该研究一个更好的 IC 来更大限度地减少充电损耗？

谢谢您、
Scott

0 admin 5 个月前

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您好、Scott：

作为线性充电器、几个因素将决定您预期实现的最低损耗：

[ RON (BAT-PMID)+ RON (IN-PMDI)] x (ICHG^2) 是最低损耗、其中它们由 FET RDSON 决定。这意味着 VIN 处的电压必须至少比 VBAT 大 ICHG x RON (TOTAL)。

VIN 还必须是 VLP 高于 VBAT。

因此、根据 ICHG、VIN 必须高于这两个阈值中的较大者。计算出最小 VIN 后、VIN 将等于 (VIN - VBAT) x ICHG。

为了使 VIN 接近 VBAT、您必须禁用 VINDPM 和 VDPPM。

或者、开关充电器通常效率更高、但通常大得多、适合以更高电流工作。您可以考虑使用 BQ2561x 或 BQ2562x 系列器件。

此致、

Juan Ospina.

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