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[参考译文] LM51772:原理图审阅

Guru**** 2770865 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5177, LM51772, LM251772

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1605401/lm51772-schematic-review

器件型号: LM51772
主题中讨论的其他器件: LM5177LM251772

尊敬的专家:

请帮助查看示意图。 LM51772 schematic.pdf 

非常感谢!  

Andy

 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Andy:

    您能否将填写好 的 LM51772 设计计算器附加 到此主题? 这将是我们进行原理图审阅最高效的工作流程、同时提供所需的功率级规格详情。
     

    此致、

     Stefan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    还请分享功率 MOSFET 和电感器的数据表。

    此致、  

     Stefan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    e2e.ti.com/.../LM5177-Buck_2D00_Boost-Quickstart-Tool-V1_5F00_1_5F00_2.xlsxe2e.ti.com/.../FAUL0530_2D00_1R2MTpdf.pdfe2e.ti.com/.../FAUL1050_2D00_2R2MT.pdfe2e.ti.com/.../_4E53A66DAE5F2D00_CRSM023N04N2Z-draft_2D00_MOSFET.pdf

    您好、Stefan:

    设计要求:

    1) 输入正常 12V、输出:在 6@7A 至 18V@8A 范围内进行调节、正常 16V@10A。

    2) 输入正常 12V、输出:调节形式 1~4V、正常 4V@4A。   

    附件是计算器表单以及 MOSFET 和电感器的数据表。  

    Andy

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    尊敬的 Andy:

    非常感谢 — 我尝试完成的评论,直到这周结束。

    此致、

     Stefan

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    尊敬的 Andy:

    只是对现在进行了快速检查、有两个问题应该得到解决 firstÖ

    -所选的 MSOFET 将不工作,因为这不是一个逻辑电平 MOSFET ,并且不会正确地导通可用的栅极信号。 这也可以在~5V 的米勒平台上看到、但该电压应远低于 4V。

    -随附的快速入门计算器来自 LM5177 而非 LM51772(请参见上面的链接)

    此致、

     Stefan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Stefan:

    请帮助查看更新后的文件。  

    非常感谢!   

    e2e.ti.com/.../LM51772_2D00_Q1.zip

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Stefan:

    我更新了原理图、请帮助再次进行检查。

    非常感谢!  

    Andy

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Andy:

    很抱歉延迟回复 — 看起来设置了错误的标志,上一篇帖子没有出现。

    请查看下面我的审核列表和加粗标记的行项目、这些项目应再次检查
    (注意:此处保留其他信息以概述已检查的内容)

    注意:标记的点确实适用于两个功率级

    已使用快速入门计算器进行检查

    • 注意:我没有检查所有值以匹配原理图、快速入门计算器中的值是用于检查的参考值
    • 确保按照建议通过 I2C 设置斜率补偿

     

    原理图:

    • RCS 与电感器串联、并在电感器之前
    • 检查 RC 过滤器
      电流检测电阻 Rcs 没有所需的滤波器
    • 检查 Risns 滤波器
      电流检测电阻 Risns 没有滤波器 — 建议添加占位符
    • 检查 Risns 位置(应在前后都有电容)
    • ILIMCOMP/ISET 用作 ISET 时应具有一个与电阻器并联的小型滤波电容器
      [USB_PD 使用典型可调节 ILIM ->=>将 RC || C FILTER 置于 ILIMCOM]
    •  如果未使用 ISNS、则将 ILIMCOMP 连接到 VCC2
    • SW1 和 SW2 上的缓冲器
      在 SW1 和 SW2 上放置缓冲器的空间
       (然后,由于 EMI 等原因,可以在需要时填充它们,而不更改布局)
      注意:缓冲器将电阻器连接到 GND 以获得更好的热性能
    • BIAS 已连接
      如果未使用 BIAS、则连接到 VOUT 的 GND 或 VIN(不要保持开路)
      BIAS 可连接到 VIN(如果未违反 BIAS 的最大额定值)、以使 LDO 在 BIAS 上具有更好的性能
    • 在 MOSFET 栅极信号线中添加串联电阻
      (然后可以在需要时更换它们(例如由于 EMI)、而无需更改布局、
      附加选项:并联一个二极管以实现慢速导通和快速关断。
      注意:良好的起始值为 3.3Ω、然后在测试 PCB 时进行调整
    • MOSFET 的额定电压
      (建议裕度为 30%)
    • 米勒效应平台
      所使用的 MOSFET 需要是逻辑电平 MOSFET — 可以在 2.5V 至 3.5V 的范围内被米勒平坦区域看到
    • 相对于最低输入电压的 UVLO 设置
      UVLO 设置为 xV、但工作范围从 xV 开始 — 相对较大的距离
    • EN/UVLO 添加了电容器作为占位符
    • 如果由 uC 驱动、则 EN/UVLO:如果 uC 不发送信号、则将电阻器放置到 GND 以安全关闭
    • VCC 22uF 处的电容:(数据表最小值:6uF,带直流偏置)
      请检查 Vcc 上的电容,以在考虑直流偏置的情况下获得所需的电容 — 我们在 EVM 上使用 22uF
    • VCC2 用于控制和驱动器电源
      VCC1 可用于外部逻辑(如果未使用)、则可以禁用
    • 如果应通过 I2C 设置电压、请将 FB 连接至 VCC2
    • 需要 FB_IN:对于直通模式 — 仅使用外部 FB 分压器。 使用内部 FB (FB 连接到 VCC2) 将其置于 AGND(不适用于 LM251772)
    • FB 和 FBIN 的反馈分压器相同(检查是否需要 FBIN)
    • 不使用时的 nRST 需要连接到 VIN
    • 检查是否控制了 MODE 引脚 — 在原理图中看不到

    布局(仅供参考):

    请查看下面我的审核列表和加粗标记的行项目、这些项目应再次检查

     

    • 降压侧环路:输入电容器以及高侧和低侧 MOSFET
    • 升压侧环路:输出电容器以及高侧和低侧 MOSFET
    • 与 CSA/CSB 检测电阻之间的开尔文连接
      将滤波器靠近 LM51772 放置
    • CSA 和 CSB 被 SW1 或其他静态信号包围
    • 与 ISNS+/-检测电阻之间的开尔文连接(如果不使用,则短接至 GND)
    • HO1/SW1 的小电流环路(SWx 和 HOx 彼此顶层布线)
    • HO2/SW2 的小电流环路(SWx 和 HOx 相互布置)
    • 保持 HBx/SWx 自举电容环路短路
    • LOx 布置在 PGND 顶部(或下方)、以尽可能减小栅极环路电感
    • 输出电容器之后或之间的反馈连接
    • VCC2 电容器靠近引脚放置 — 最好位于同一层 -不通过过孔连接
    • 使用的 AGND 接地区域/平面(所有基于 AGND 的元件都放置并连接到该区域)
    • AGND 和 PGND 连接在散热焊盘上

     

    有关布局指南、请先查看此应用报告: https://www.ti.com/lit/pdf/slvafj3

    此致、

     Stefan