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[参考译文] UCC21520：UCC21520DWR

admin
Guru**** 2771165 points

Other Parts Discussed in Thread: TIDA-01605

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1607145/ucc21520-ucc21520dwr

器件型号： UCC21520
主题中讨论的其他器件： TIDA-01605

尊敬的团队：
在这里、我使用 UCC21520DWR 作为栅极驱动器 IC、它最终驱动我的同步降压转换器、其中 2 个 MOSFET 并联。
我已获取 TI 文档的参考资料 TIDA-01605、 而我们设计了显著的,我面临的问题是
1.每当 IC 驱动 IC 时,它是巨大的加热,大约是 68 度。
我还计算了栅极驱动器损耗。
我的 MOSFET Qg = 241nC 就像我使用的一样 并联 MOSFET Qg = 241nC*2 = 482nC
我的实际 VDDA 和 VDDB 程度 15V (+12V、–3V) 不是 23V (+15V、–8V)。
Fsw=50kHz 。
Iavg = 24mA、从电源汲取的电流为 0.17A  
如有任何设计问题、可参考指南。
image.png

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    TI__Guru**** 2771165 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Chetan：

    因为我不在办公室、所以对迟来的答复表示歉意。

    此处具体关注的问题在哪里？

    栅极驱动器是否发热至接近绝对最大值规格？ (150°C)

    此致、

    Hiroki

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    TI__Guru**** 2771165 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    不高达结温（150 度）、但发热高达 65 度。
    我认为根据理论计算、它不应该达到该值。
    请帮我解决这个问题。

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    TI__Guru**** 2771165 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Chetan：

    根据参考设计指南和数据表中的公式、我估计温度将达到约 53°C（因为您使用两个栅极电荷非常大的并联 FET）。

    PGDQ = VCCI*IVCCI + VVDDA*IVDDA + VVDDB*IVDDB =(5V*IVDDB 3mA)+(2.5mA)+(2.5mA)= 0.09W

    PGSW = 2 * 15V * 432nC * 50kHz =  0.648W

    TJ = Tboard + RthetaJB * Ptot = 25C + 36.9C/W * 0.738W = 52.23C

    然后看看 VDDx-COMx 和 VSSx-COMx 上的大型旁路电容器、我相信 65C 是准确的。 该参考设计针对每个 VDD VSS 引脚使用了大约 4.8uF 的总旁路电容器、并且使用了 20uF。 大电容器通常具有较高的寄生效应、这会降低它们在抑制高频开关噪声（噪声瞬变）并导致器件进一步升温方面的效率。

    我建议更改旁路电容器以更接近参考设计中的内容、并查看这是否有助于降低温度。 但即便如此、我相信仅根据 FET 的尺寸/并联器件、温度仍会上升到约 53°C。

    谢谢、

    Annabelle