Other Parts Discussed in Thread: LMG3100R017, LMG3100EVM-089
器件型号： LMG3100R017
主题中讨论的其他器件： LMG3100EVM-089
您好、
两年前,在这个表格页面上,关于 GaN 在硬开关情况下的并联连接,它说:“在硬开关应用中,我们仍在进行研究,以了解将该器件与集成栅极驱动器并联的系统要求。“ 我可以获得当前状态的更新吗？
在全桥硬开关项目中、我们会看到高侧 GaN 中出现老化故障、尤其是在我们提高输入电压 (18V–32V) 时。
此致。
您好：
对此处延迟的回复表示歉意。
我已收集回答这些问题所需的所有信息。
为了介绍一些详细信息的背景信息、
有 2 种方法可用于向顶部 FET 提供 PWM 输入
使用内部电平转换器通过底部 FET 的 HO 向顶部 FET 提供 PWM。 
2.使用外部隔离电路为顶部 FET 提供 PWM — 类似于并联板中的。
我们首选电路板中的方法 2、因为方法 1 通常会向顶部 FET 的 HI->HO->LI ->顶部 FET 路径的栅极添加 33ns 的延迟、而底部 FET 的 LI ->底部 GaN 的 LI 则会增加。
这种额外的延迟对于优化死区时间至关重要、因此我们提供了一个隔离式驱动器来为顶部 FET 提供 PWM。
是的、我们的器件在内部在 AGND 和 SRC 之间建立了连接、请遵循相关指南了解更多详细信息。
我认为这也解释了数据表中的数字。
这些是较旧的器件、我们推出了新一代器件、将于 2026 年 3 月推出、该器件将减少内部延迟、并可以使用内部电平转换器电路、而不会影响死区时间、因此会进行优化。
此致、
Adithya
