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[参考译文] CSD19536KCS:CSD19536KCS 的备选 MOSFET 建议

Guru**** 2837190 points

Other Parts Discussed in Thread: CSD19535KCS, CSD19536KCS, CSD19536KTT

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1619313/csd19536kcs-alternative-mosfet-recommendation-for-csd19536kcs

部件号: CSD19536KCS
主题: CSD19536KTT、CSD19535KCS 中讨论的其他器件

我正在根据 DRV8323RHRGZT 设计定制 BLDC 电机驱动器

我最初选择了 CSD19536KCS 作为 MOSFET、但它目前在所有主要市场都缺货。

您能否推荐具有与 CSD19536KCS 相当的规格和性能的合适替代 MOSFET 选件? 理想情况下、替代方案应匹配或超过关键参数(额定电压,RDS (on),电流处理,封装等)、以确保在该应用中具有相似的性能。

 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Gautam、

    感谢您关注 TI FET。 CSD19536KCS 是我们具有超低导通电阻的 100V N 沟道 FET、采用 TO-220 封装。 D2PAK 上提供了相同的 FET 芯片、作为 CSD19536KTT 或 CSD19536KTTT(更小的卷带尺寸)。 TO-220 中的下一个最接近的 FET 是 CSD19535KCS、但它具有较高的导通电阻((VGS = 10V 时<xmt-block0> 3.6mΩ</xmt-block> 最大值与<xmt-block1> 2.7mΩ</xmt-block> 最大值之间的关系)。 3.6mΩ。</s> 2.7mΩ 您能分享应用要求吗?

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用  

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    您好 Gautam、

    再次感谢您关注 TI FET。 跟进以查看您的问题是否已解决。 请告诉我。

    谢谢、

    John

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    尊敬的 Gautam:

    由于我没有得到响应、我假设您的问题已解决、并将关闭此主题。

    谢谢、

    John