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[参考译文] LM34936:LM34936 输出问题

Guru**** 2813875 points

Other Parts Discussed in Thread: LM34936

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1624656/lm34936-lm34936-output-issues

部件号: LM34936

 

我看到您可能是这个论坛帖子中的 LM34936 专家。  LM34936:仅在两个开关降压运行模式下工作 — 电源管理论坛-电源管理 — TI E2E 支持论坛

我在使用该 IC 的一个电路板上出现 DC/DC 问题。 当输入电压为 12V 或更低时、DC/DC 的导通时间非常慢(5-10 秒)。 DC/DC 在测试期间为 12V 100mA 负载供电、但 DC/DC 的输入侧拉取 1A @ 4.5V、看起来过高。 几乎所有这些过多的热损耗都排放到输入侧 FET 中、导致其温度低于 80°C。 电源的电流限制不能提高电压来尝试降低电流。 我不知道为什么 DC/DC 会拉取这么多多余的电流。 然后、我尝试将 20V 输入到 DC/DC 中、20V 电压直接传递到输出侧、导致我电路板上的元件损坏。  

我的原理图有问题吗? 我计算出自举电容器的容值可能会有点低、但我不确定它们会导致所述的问题。 我尝试将 DC/DC 设计为可处理 2.5V 至 30V 的输入范围。   如果您有任何问题或需要任何器件型号来更好地分析我的原理图、请告诉我。

schematic.jpeg

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    尊敬的 Harrison:

    在第一次回顾中、我看不到一个会解释所看到行为的重大问题。

    您测试过多少块电路板 — 是否所有电路板都表现出相同的行为?

    下一步将探测 SWx 信号和栅极信号、以更好地了解功率级中会发生什么情况。

    但是、应该更改或采纳一些内容(尤其是在进行布局更新时):

    -电阻到 VIN 应为 2k 而不是 2

    -为 MOSFET 添加栅极电阻可根据需要进行调整。

    -在 SW1 和 SW2 上添加缓冲器占位符也是不错的 — 如果需要,可以放置它。

    此致、

     Stefan

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    您好、Stefan:

    感谢您的答复。 对于更新以及在此论坛上寻求答案的人员、我更改了以下组件的值以使系统正常工作。 Rc1 = 1.69k、CC1 = 47nF、CC2 = 4.7nF、Cboot2/Cboot1 = 1.1uF(不过,我认为 1uF 可以正常使用)。 TI 应考虑在数据表中添加自举电容器计算。 我认为自举电容器无法提供足够的电荷来维持开关。

    此致、

    Harrison