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[参考译文] CSD16570Q5B:材料问题

Guru**** 2837190 points

Other Parts Discussed in Thread: CSD16570Q5B

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1625242/csd16570q5b-material-question

器件型号: CSD16570Q5B

您好、

 

我想知道关于 CSD16570Q5BT 的几个方面。 首先、镀锡正下方的材料是什么? 另外、镀锡厚度是多少?

 

谢谢您、

Sarah Perry

Raytheon

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    您好、Sarah:

    感谢您关注 TI FET。 CSD16570Q5B 和 CSD16570Q5BT 是同一器件、只是具有不同的卷带尺寸和数量 (Q5B 为 2500、Q5BT 为 250)。 根据封装分包商的不同、电镀有两种选择:NiAuPd 或 Sn。 镀层下的材料是铜、我不确定镀层厚度。 我正在等待 TI 封装团队提供该信息、并会在我获得该信息后立即更新您。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Sarah:

    再次感谢您关注 TI FET。 来自我们的封装团队:

    SN 镀层:

    • 最小锡厚度 7μm
    • 最大锡厚度 20μ μ m

    NiPdAu 镀层厚度:

    • NI:0.50 to 2.00μm
    • Pd:0.01 至 0.10μm
    • AU:0.003 到 0.009μm

    如果您有任何其他问题、请查看并告诉我。

    谢谢、

    John