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[参考译文] BQ76952EVM:评估板 mos 管控问题

Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1066534/bq76952evm-evaluation-board-mos-tube-control-issue

部件号:BQ76952EVM
“线程:BQSTUDIO”中讨论的其它部件

大家好,团队

以下是客户提出的问题可能需要您的帮助:

1.所有保护参数都只关闭,并且有一种频繁的芯片唤醒休眠模式,每隔10秒左右就会有一个唤醒替代模式。 如何使用的子命令

2.A. FET 独立控制配置的 CHG DSG?

B. 是否可以手动执行预充电预防功能,或者根据阈值自动打开和关闭预充电预防功能?

C. PCHG 和 PDSG 针脚在各自的主板上是否相同?

3.他们购买了16字符串的演示板,但 TI 网站上没有匹配的软件,连接评估板后打开该软件,选择 Monitor-7695_0_24-BQ76952. BQZ,但未找到对话框。 下载的软件版本是1.3.104,是最新版本。 客户希望知道如何操作。

请帮您检查此案例? 谢谢。

此致,

樱桃

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Cherry,您好!

    1.所有保护参数都只关闭,并且有一种频繁的芯片唤醒休眠模式,每隔10秒左右就会有一个唤醒替代模式。 如何使用的子命令
    我不理解这个问题。 您似乎忘记了完成这句话的编写。 请详细说明。

    2.A.  FET 独立控制配置的 CHG DSG?
    我对这个问题感到困惑。 可将 CHG 和 DSG FET 配置为自主或手动操作。 请参阅《技术参考手册》第5.2.2节—高端 NFET 驱动程序。

       B. 是否可以手动执行预充电预防功能,或者根据阈值自动打开和关闭预充电预防功能?
    它们可以配置为自主或手动。 请参阅 《技术参考手册》中的第5.2.3.2.1节预充电模式和第5.2.3.2.2节预充电模式。

       C. PCHG 和 PDSG 针脚在各自的主板上是否相同?
    请参阅 数据表的第7.8节—预充电(PCHG)和预放电(PDSG) FET 驱动器。 略有不同。

    3.他们购买了16字符串的演示板,但 TI 网站上没有匹配的软件,连接评估板后打开该软件,选择 Monitor-7695_0_24-BQ76952. BQZ,但未找到对话框。 下载的软件版本是1.3.104,是最新版本。 客户希望知道如何操作。
    BQStudio 应该能够自动找到设备。 确保通过将 TS2引脚拉低或在 LD 引脚上施加高于 VWAKEONLD 的电压来唤醒设备。 同时确保其机载 EV2400具有最新的固件更新。

    此致,

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛门

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,路易斯,

    首先感谢您的支持,并对错误表示歉意:

    [引用 userid="496057" url="~ë/support/power -management-group/power -management/f/power -management-forum/1066534/bq76952evm-evm-evm-evm-evmanagement-board-mos-tub-control-issue="1] 1. 所有保护参数都仅关闭,并且有一种频繁的芯片唤醒休眠模式,并且每隔10秒左右就会发生唤醒替换。 如何使用的子命令

    它应该是“所有保护参数都只关闭,并且有一种频繁的芯片唤醒休眠模式,并且每隔10秒左右就会有一个唤醒替代模式。  "

    [引用 userid="450206" url="~ë/support/power 管理-group/power 管理/f/power 管理-forum/1066534/bq76952evm-evm-evm-evm-evimaluation -board-mos-tube-control-issue/3946855#3946855]CHG 和 DSG FET 可以配置为手动操作[或引用]。

    在 BQSTUDIO 上打开 FET_EN,但无法单独手动控制 DSG 和 CHG 的打开和关闭,但只能对自动控制进行编程,客户希望知道如何在 BQSTUDIOS 上配置自动控制以实现手动控制。

    [引用 userid="450206" url="~ë/support/power 管理-group/power 管理/f/power 管理-forum/1066534/bq76952evm-evm-evm-evm-evm-evaluation -board-mos-tube-control-issue/3946855#3946855]\n 它们可以配置为自主或手动。 请参阅 《技术参考手册》中的第5.2.3.2.1节预充电模式和第5.2.3.2.2节预充电模式。[/quot]

    参数配置为参考手册,但预编程的 FET 从未打开,如下图所示:

    [引用 userid="450206" url="~ë/support/power 管理-group/power 管理/f/power 管理-forum/1066534/bq76952evm-evm-evm-evm-evm-evimaluation -board-mos-tube-control-issue/3946855#3946855]BQStudio 应该能够自动查找设备。 确保通过将 TS2引脚拉低或在 LD 引脚上施加高于 VWAKEONLD 的电压来唤醒设备。 同时确保其机载 EV2400具有最新的固件更新。[/quot]

    是否需要从外部电源提供一个 VWAKEONLD 唤醒电压以首次启动芯片? TS2引脚是否一直处于低位,或者在初始期间是否只需要一次处于低位?

    谢谢,致以诚挚的问候,

    樱桃

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Cherry,您好!

    所有保护参数都仅关闭,并且有一种频繁的芯片唤醒休眠模式,并且每隔10秒左右就会发生唤醒替换。  
    这仍然令人困惑。 我相信您可能是指睡眠模式。 在睡眠模式下,该部件会定期 每5秒唤醒一次,并持续一小段时间进行测量。 这是默认设置和预期设置。 阅读部分

    在 BQSTUDIO 上打开 FET_EN,但无法单独手动控制 DSG 和 CHG 的打开和关闭,但只能对自动控制进行编程,客户希望知道如何在 BQSTUDIOS 上配置自动控制以实现手动控制。
    手动控制将使用命令完成。 必须设置 FET_EN,大多数命令才能正常工作。 所有保护措施都需要禁用,否则这些措施仍会自动关闭 FET。 以前的 e2e 线程可能有助于了解如何使用 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1051647/bq76942-write-fet_control-under-i2c 命令控制 FET。 请记住,除非  清除了“设置:FET:FET 选项[SLEEPCHG]”位,否则默认情况下 CHG FET 将始终保持关闭状态。  《  技术参考手册》对此进行了说明。

    参数配置为参考手册,但预编程的 FET 从未打开。
    您是否使用命令手动控制 FET? 这可能会影响 PCHG/PDSG 的工作方式。 他们能否检查 0x7F FET 状态()[PCHG_FET]寄存器位并查看是否已设置? 这将显示 PCHG 针脚的状态。 也 必须设置 FET_EN 才能使这些功能正常工作。

    是否需要从外部电源提供一个 VWAKEONLD 唤醒电压以首次启动芯片? TS2引脚是否一直处于低位,或者在初始期间是否只需要一次处于低位?
    如果您在 TS2上使用热敏电阻,则可能需要使用 LD 引脚。 否则,短拉 TS2针脚(一次)即可打开设备。 在达到各自的唤醒电压阈值之前,也不必随时执行此操作。 (有关详细信息,请参见数据表)。 如果您不希望设备关闭,TS2也可以永久地被拉至 VSS。 如果启动了关机顺序,并且将 TS2拉至 VSS,则部件将进入“软关机”模式,《技术参考手册》的最后一段对此进行了简要说明。

    此致,

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛门

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Luis,

    [引用 userid="450206" url="~ë/support/power 管理-group/power 管理/f/power 管理-forum/1066534/bq76952evm-evm-evm-evm-evm-evaluation -board-mos-tub-control-issue/3948426#3948426">我认为您可能是指睡眠模式。 在睡眠模式下,该部件会定期 每5秒唤醒一次,并持续一小段时间进行测量。 这是默认设置和预期设置。 阅读部分

    我可以知道如何关闭睡眠模式吗?  启动主板后,按唤醒键(TS2侧的下拉键)将会唤醒,但无法保持唤醒状态。

    [引用 userid="450206" url="~ë/support/power 管理-group/power 管理/f/power 管理-forum/1066534/bq76952evm-evm-evm-evm-evimaluation -board-mos-tube-control-issue/3948426#3948426">您是否使用命令手动控制 FET? 这可能会影响 PCHG/PDSG 的工作方式。 他们能否检查 0x7F FET 状态()[PCHG_FET]寄存器位并查看是否已设置? 这将显示 PCHG 针脚的状态。 也 必须设置 FET_EN 才能使这些功能正常工作。

    PDSG_EN 还打开了 PDSG 的关联超时停止增量,该增量已配置,但无法手动打开。

    谢谢,最棒的 Regads

    樱桃

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Cherry,您好!

    我可以知道如何关闭睡眠模式吗?  启动主板后,按唤醒键(TS2侧的下拉键)将会唤醒,但无法保持唤醒状态
    他们可以通过清除 设置:配置:电源配置[SLEE] 配置位来禁用睡眠。  也可以允许使用睡眠模式
    或使用0x0099 SLEEe_enable()和0x009A SLEEe_disable()子命令禁用。

    PDSG_EN 还打开了 PDSG 的关联超时停止增量,该增量已配置,但无法手动打开。
    使用 all_FET _on()时,如果有什么 阻止启用 FET,则 FET 将不会打开。 如果  没有任何东西不允许,all_FET on()命令基本上会打开 FET。 这就是为什么在使用手动控制时应禁用所有保护,因为它们可以禁用 FET。 超时和停止增量可能还会影响 PDSG FET 的打开/关闭。 同样,此 e2e 线程中的讨论可能有助于更好地了解命令: https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1051647/bq76942-write-fet_control-under-i2c。  

    此致,

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛门