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部件号：LMG3422R030 大家好，团队
客户担心我们的 Gan 的反向电流损失，因为 Gan 的压降将很大，而且 Gan 内部没有并行二极管。 请您帮助我们澄清客户对此的担忧吗？ 谢谢。
巴西，
斯坦利
大家好，团队
客户担心我们的 Gan 的反向电流损失，因为 Gan 的压降将很大，而且 Gan 内部没有并行二极管。 请您帮助我们澄清客户对此的担忧吗？ 谢谢。
巴西，
斯坦利
您好，Stanley，
感谢您的提问。 您认为压降较大是正确的。 这些反向电流损失通常发生在死时间内，因此我们建议优化死时间操作，以限制 FET 在反向进行的时间量。
我附上了一份白皮书，其中详细介绍了如何使用 TI Gan 最大限度地减少死亡时间损失：
以下是数据表中可能有用的图表：
如果您觉得这充分回答了您的问题，请将此线程标记为已解决。
谢谢，
不是
