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[参考译文] LP8866-Q1:参数设计&LP8866-Q1的相关套接字选择

Guru**** 2390735 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1066106/lp8866-q1-parameters-design-related-sockets-selection-of-lp8866-q1

部件号:LP8866-Q1
“线程:LP866EVM”中讨论的其它部件

尊敬的团队:

我正在参考 LP866EVM 用户指南 的原理图,以实现以下功能:

请帮我推荐用于替换插座的合适 MOSFET 的零件号。

此外,我是否需要更改电感值,切换频率或其他参数? 我应该如何改变它们?

在哪里可以找到用作 SEPIC 拓扑的 LP8866的参考原理图?

非常感谢您的回答。

巴西,

华风。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    华峰  

    必须使用额定电压至少比最大输出电压高25%的 N 型 MOSFET。 开关 FET 的额定电流应为
    与电感器额定值相同或更高。 RDSon 必须尽可能低,建议小于20 mΩ。 热阻(RθJA Ω)也必须较低,才能在切换 FET 时从功率损耗中释放热量。 您可以使用  EVM 板上使用的 NVMFS5C673NLWFAFT1G 等设备。  

    有关详细设计,请参阅   数据表中描述的8应用程序和实施。  

    对于败血症,请参考数据表:8.2.3 SEPIC 模式应用