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[参考译文] LMG1205：如何消除输出过冲

admin
Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1205
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1069438/lmg1205-how-to-eliminate-output-overshoot

部件号：LMG1205
“线程： ABS， 测试”中讨论的其它部件

您好，

  我目前正在调试 LMG1205的演示板，请参阅电路图附件第5页，LTM5113使用 LMG1205。 结果发现输出过冲非常强。 当我尝试将 R19增加到10欧姆时，LMG1205会被烧坏。 是否有任何方法可以减少输出过冲？ 图片是输出端子的波形，此时 VIN 为80V。

e2e.ti.com/.../EPC9087_5F00_qsg.pdf

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好，

    感谢您联系 E2E！

    我们的专家目前已不在办公室，但将在未来几天内与您联系。 感谢您的耐心等待。

    此致，

    Andy Robles

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好，

    感谢你的提问。

    当您将 R19修改为10欧姆时，您是否使用了相同的电路板？ 我担心该板以前损坏，因为图上观察到的电压峰值超过了输出的绝对最大额定值。 此外，HO 下降和 LO 上升/下降信号的外观如何？ 您可能还需要增加电阻器 R20，R23和 R24。  

    首先要尝试降低信号速度，就是像您那样增加栅极电阻。 我建议在新主板上尝试此方法(该主板的额定值未超过 ABS 最大值)，并在 VIN 电压较低时开始(例如15V) 然后在测试过程中小步增加电压，以确保主板不会再次损坏。 另一个有助于降低开关速度的方法是将电容器从门到源放置在尽可能靠近 FET 引脚的位置。  

    另一个可能导致过冲和/或欠冲的因素是探头接地导线电感，这会增加系统中的附加寄生虫。  为了缓解这一因素，我建议使用尖端和料筒方法尽可能靠近设备针脚进行测量，以获得尽可能干净的波形。

    此致，

    莱斯利  

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好，Leslie，ñ o

    非常感谢您的回复。

    更改 R19值的操作适用于同一个演示板，以前效果良好。 当 MOS 驱动程序和 FET 烧坏时，我更换了新设备，它可以正常工作。 正如你昨天提到的，我同时将 R19，R20，R23和 R24设置为50欧姆，然后再将过冲减至可接受的范围。 当 VIN=90V 时，最大过冲幅度为94V。 当然，我的测试方法也可能导致过度拍摄。 当我将栅极电阻提高到50ohm 时，FET 温度有点高，但并不严重，当行驶信号为50kHz 方波时，FET 温度约为50°C。
    还有另一个问题。 我观察到过冲振荡信号的频率约为130MHz。 我想，如果在 VSW 端添加了一个低通滤波器来过滤这些振荡信号，这种方法是否可行？ 这是否会导致 Q1和 Q2在某个时间点同时打开并损坏 FET？

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    您好，

    不用客气！  另一个有助于降低开关速度的方法是将电容器从门到源放置在尽可能靠近 FET 引脚的位置。 您可以与栅极电阻器一起执行此操作。 关于同时启动 FET 的问题，驱动器没有内置的死机时间。 我建议测试输出信号，如果您发现 HO 和 LO 信号重叠，请在控制输入的微控制器上设定所需的死时间。   

    此致，

    莱斯利

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    TI__Guru**** 2378650 points
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    好的，我明白了！

    非常感谢。