[参考译文] TPS1H100EVM：工作原理说明

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1070115/tps1h100evm-working-principle-clarification

部件号：TPS1H100EVM
“线程：TPS1H100-Q1”中讨论的其它部件

您好，

我正在使用评估模块评估 TPS1H100-Q1 MOSFET 的设计。

根据我的要求，我需要将内部电流限制设置为900mA。 MOSFET 应用作串联连接在电源线上的电流限位元件。

根据用户指南中提供的计算，我将评估模块中的 R7电位计的值设置为 2.740K。

在我测量结果时，我观察到，

当我线性降低负载电阻时，电流会一直持续到~1000mA 限值，然后降至900 mA。 (我不理解这种行为为什么会在设定的限值之上增加100mA？是否有滞后？)

如果我进一步降低负载，它会尝试将负载电流保持在900mA 限值，直到过载电流达到~1350mA (数据表中也指定的设定电流限值的1.5倍)。之后，负载电流降至 ~200mA 的值，从而进一步降低输出电压。

请告诉我上述问题的澄清是否标有红色，以及解决方案是否相同。

请告诉我您是否需要其他信息。

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2468610 points

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Vivek 您好，

电流限制值越高可能是由于电流限制事件的当前蠕变行为所致。当 FET 在其线性区域更长时，负载电流缓慢增加时，电流限制就会更高。有关更多信息，请参阅本应用手册第4.1节。

www.ti.com/.../slva859b.pdf

如果您还有其他问题，请告诉我。

此致，

爱知

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2468610 points

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您好，爱知

感谢您的回复。

我们在搁置模式下测试了 TPS1H200Q1的三个电流限值：500mA，600mA 和800mA。

我们线性地增加了每种情况下的负载以超过电流限制，并检查了示波器的实际输出。附加波形供您参考。

意见如下：

*对于500mA，限值约为~542mA =>错误42mA

*对于600mA，限值约为~648mA =>错误48mA

*对于800mA，限值约为~901mA =>错误101mA

如果我们考虑您共享的应用说明中表4中的精度值，则有足够的边界用于上限错误，例如，对于800mA，上限为920mA；对于600mA，上限为690mA ，我们会看到上面的大量差异。

如果我们计算上限的方法正确，请更正。如果是，请告诉我们是否有方法更准确地计算此错误？

此致

维耶克

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2468610 points

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Vivek 您好，

当前限制约束计算正确。还有一个因素是电阻器错误-因为电阻器的值也会有自己的错误。如果您想要更精确的计算，可以考虑用于电流限制的电阻器中的百分比误差。然后，它将获得更准确的上限结果。这种方法在这种情况下是正确的。

请告诉我可以提供帮助的任何其他信息。

此致，

爱知

电源管理（参考译文帖）

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