“线程”中讨论的其它部件:UCC27712
你好
当我更改为 在主端使用硅(Si)功率 FET 时,我遇到了问题,
由于我想在 主端使用硅(Si)功率 FET,
我已经重新处理了设定引脚连接(将引脚连接到参考引脚并确保断开到 EVM 上的接地端),
但它在115V 交流/20V 直流/3.25A 时进入 DCM,而不是 BCM
请帮我优化 BCM 操作。

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你好
当我更改为 在主端使用硅(Si)功率 FET 时,我遇到了问题,
由于我想在 主端使用硅(Si)功率 FET,
我已经重新处理了设定引脚连接(将引脚连接到参考引脚并确保断开到 EVM 上的接地端),
但它在115V 交流/20V 直流/3.25A 时进入 DCM,而不是 BCM
请帮我优化 BCM 操作。

雷克斯,您好!
您能否向我分享该原理图以供审核,如果此线程的机密性无法公开,请发送电子邮件给我: jaden-ning@ti.com。
当您将 Gan FET 更改为 Silicon FET 时,请询问您正在测试哪个电路板,您自己的电路板或 TI EVM 板。对于带有集成驱动器的 Gan FET, EVM 板上的高端驱动程序是一个没有驱动程序功能的隔离驱动程序。但如果更改为硅效率 FET,我们需要的是半桥驱动程序。 我担心上述波形显示控制器在 BCM 模式下工作。 但高端硅 FET 没有打开。看起来它在 DCM 模式下运行。如果高压端不打开 。由于没有负电流,控制器无法在低压端检测到 ZVS。它将延长 PWMH,直到内部调谐器饱和。是什么 从波形中可以看出,PWMH 脉冲很长。因此,我猜您的高端 FET 没有响应 PWMH。
谢谢。