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部件号：LM5143-Q1 您好，
对于我们的客户，我们正在实施 LM5143-Q1与 Gan FET (EPC2103)相结合。
在测试我们的实施情况时，我发现 Gan FET 温度真的很高。 从高和低门信号看，似乎对于高开关频率(2.2MHz)，门重叠时间很短，因此对地短路。 解释产生的热量。 对于较低的切换频率(220KHz )，问题远低于几乎不存在的程度。
但我不知道为什么高侧 FET 的下降边缘如此缓慢。 似乎想早点去，但不能。
范围图像显示重叠的门信号：
示意图：
高侧安全门轨迹(红色)
低侧安全门轨迹(蓝色)：
是否有任何建议或优化措施来解决高切换频率问题？
如果需要，我很乐意提供更多测量或信息
此致，
RemCo
