[参考译文] BQ25619：数据表问题

纽约州

1. HSFET 过电流限制仅适用于故障情况。 OCP 阈值足够高，不会干扰正常的1.5A 操作。

2.本设备是1.5 A 电池充电器。 1.5A 不包括电感器电流 波纹。

3.在 OTG 模式下，设备不会充电，电池会放电。 如果没有故障且启用了 BATFET，则 BATFET 应打开。

4.220毫秒用于 在 VBUS 插入时 REGN LDO 通电，而不是 OTG 模式。

5. PFM 操作主要用于轻负载操作。 它取决于负载电流，但不取决于电压。

谢谢，

宁。

您好，Ning，谢谢您的回答。但客户不满意您的回答。  

1. 那么，具体而言，过流会限制操作的是什么？  
2. IVBUS =3.2A 的条件是什么？  
3. 增压模式下，PMID 的电流限制是多少？  
4. BATFET 的 Ron 是否依赖于 Ichg 设置？

此致，纽约州

你好，NY，

由于 市场营销，竞争和 IP 等各种原因，我们没有在一个系列中发布充电器规格。我们可能知道客户想要规格和操作1，3，4的原因吗？

1. HSFET OCP 规范足够高，主要用于保护集成 FET。 1.5A 不受 HSFET OCP 的限制。  

2.你认为 IVBUS 不会达到3.2A 是对的。 此规范应继承自同一家族。 输入可以维持3.2A，但 不会达到1.5A 充电器的此电平。  

与1类似，LSFET OCP 规范也足够高，主要用于保护集成 FET。 这对 保护 PMID 过电流无效。 建议使用外部精确保护电路。

4. 请告诉客户为什么关心 BATFET Ron 是否与 ICHG 发生了变化？  

此致，

埃里克