亲爱的专家
下面是算术。 负载是电池，因此我们模拟了电池短路次级输出短路。
只有在这些短路时间内，我们才发现 MOSFET GS 端会 偶尔烧坏。
当我们将次级输出 VCC 短接至 GND 时。这是 MOSFET DS 波形，电压过高，有将 MOSFET 硬接的风险。
我们将栅极电阻器从2.2Ω Ω 更改为4.7Ω，Ω，并一起测试 MOSFET GS 引脚和 DS 引脚波形 。
黄色：MOS GS 引脚 绿色：MOS DS 引脚
请您给我们一些建议来实现这一目的。
嗨，加布里埃尔：
感谢您的提问。 我有疑问，需要您的帮助来澄清。
如您所述，在 输出短路测试期间，当 RG 为2.2欧姆时，MOSFET 的 G-S 偶尔会损坏。 您是否有 VGS 波形为 rg=2.2欧姆，因为这2个波形没有显示异常现象，而是 VDS。 但是，如果 MOSFET 因 VDS 过应力而损坏，G-D-S 将为短或 D-S 短。
请帮我澄清这一点
第一，MOSFET 是否仅 G-S 引脚损坏或 D-S 是否也损坏？
第二，增加 rg=4.7欧姆后，MOSFET 偶尔仍会损坏？
对于 VDS 问题，作为第一个波形，您可以发现 VDS 响铃远低于其他波形。 Vgs 可能在错误的时间内触发。 因此，请尝试逐步增加 R309。 R309的电阻不会超过10千欧。 减少来自 VD 的感应信号以使 DRV 不会被误射，这将非常有用。
您共享的第二个波形也显示 DVT 已关闭的时间比预期的早得多。 我认为这里的虚拟磁盘也不稳定。 当我仔细观察(红圈)时，在 DRV 打开且 DRV 在很短的时间内关闭后，VDS 似乎会升高到更高的水平。
请检查 DRV 脉冲宽度。 如果 DRV 脉冲等于吨-分钟 (375ns 为 UCC24612-1，545us 为 UCC24612-2，第7页，数据集)。 DRV 应由 VDS 提升关闭。
如果是这样，电流将流经 MOSFET 主体二极管，而不是排放到源通道。 由于 MOSFET 主体二极管的 TRR 和 Qrr 较高，电压峰值越高。 增加 R309也应该有助于实现这一点。 或者，如果未使用 UCC24612-1，UCC24612-2可能是另一种尝试。
请告诉我，如果需要改进，这种方法是否可行，可以帮助您和我分享波形，作为更多参考。
此致，
韦斯利
尊敬的韦斯利
现在我们使用 UCC24612-1。我们按照您的建议进行这些测试，我们发现很难证实 VDS 的高容量。
1.R309更改为1.5K Ω，VDS，但仍高达103V。
2.R309更改为2K Ω，VDS，但仍高达103V。
3. R309更改为 3K Ω，VDS，但仍高达103V 。
4.R309更改为 5.1K Ω，VDS，但仍高达104V 。
总的来说，增加 R309的大小似乎不能改善 VDS 电压过大的现象。
顺便说一句，只有当我们对 VCC 输出短路时，才会发生这种情况。 这种情况是意外的，这非常令人困惑。
