“线程: 测试”中讨论的其它部件
您好主管,
您是否会计算 出 CSD19536KCS 的热能周期(ΔTj)和热循环(ΔTc)?
我们有两个条件。 一个是“每天{(12秒开,5分钟关) x 150 + (30分钟开) x 1}”。
另一个是“ (1天1小时)”。 电流为“100kHz,113A 峰值,半标志波”。
请参阅随附的 PDF 文件。
e2e.ti.com/.../FET_5F00_condition.pdf
此致,
光满三野
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您好主管,
您是否会计算 出 CSD19536KCS 的热能周期(ΔTj)和热循环(ΔTc)?
我们有两个条件。 一个是“每天{(12秒开,5分钟关) x 150 + (30分钟开) x 1}”。
另一个是“ (1天1小时)”。 电流为“100kHz,113A 峰值,半标志波”。
请参阅随附的 PDF 文件。
e2e.ti.com/.../FET_5F00_condition.pdf
此致,
光满三野
萨诺-桑您好,
很高兴再次听到您的声音。 感谢您澄清您的操作条件。 我可以估计电流波形的功耗。 热能循环,ΔTj 和热循环,ΔTc 是否分别是接线温度和外壳温度的变化? 我可以使用数据表第4页图1中的瞬态热阻抗曲线来估算 ΔTj。 但是,ΔTc 取决于系统的散热装置(即散热器,气流,环境等)。
参考瞬态热阻抗曲线,如果脉冲宽度为12秒,则为12秒接通,5分钟关闭,Zθjc =1表示4%的占空比(12秒/ 5分钟)。
要估计 FET 中的传导损耗:
P =(IRMS x IRMS) x RDS_ON =(113A/2 x 113A/2) x (2.7mΩ x 1.5),其中1.5是电阻的标准化值(参见数据表第5页的图8),假设 TC = 100°C
P = 12.9W
要估算结点温度升高:
ΔTj = P x Zθjc x Rθjc = 12.9W x 1 x 0.4°C/W = 5.2°C
这将是30分钟或1小时内的相同估计值。 我不知道系统的热时间常数,因此我无法告诉您在5分钟后结温是否会回到同一个起点。 如果您有任何疑问,或者我的假设不正确,请告诉我。
此致,
约翰·华莱士
TI FET 应用
你好,约翰-桑,
感谢您的回答,并对我的延迟回复表示抱歉。
我知道 MOSFET 热循环测试是在加速老化测试后进行的,所有 MOSFET 都已在您的测试摘要中通过。
我同意这一点,这表明内部焊料(模具/LF 互连)和铝线芯片的坚固性。
但是,我仍然不理解一个芯片 FET 和多芯片电源模块之间的测试方法差异。
为什么只对多芯片电源模块执行生命周期测试?
为什么没有对一个芯片 MOSFET 执行生命周期测试?
你会告诉我原因吗?
此致,
光满三野
萨诺·桑
John 直到星期一才离开办公室,因为我没有看到所提供的信息,我很难做出回应。 约翰回到办公室后会回答。
我只能说我们执行了行业标准 MOSFET 测试 HTRB,HTGB,THB,AutoClave,间歇工作寿命(IOL)和温度周期。
从竞争对手的 IGBT 模块看,一份鉴定报告显示了他们执行 热冲击(我们称之为温度循环)和动力循环(我们称之为 IOL)的力学寿命测试。 似乎具有多芯片的 IGBT 模块执行的机械测试与我们执行的相同,但名称略有不同。
正如我所说,我真的不知道发送了什么,约翰可以在星期一更全面地回答,但我希望这些信息可能会有所帮助。
此致
克里斯
萨诺-桑您好,
再次感谢您对 TI MOSFET 的关注。 我相信 Chris 已经充分描述了 TI 针对离散 FET 的行业标准测试方法。 我们已与您共享我们拥有的所有数据和信息。 TI 不制造高功率多芯片(IGBT 或 MOSFET)模块,因此没有经验或其他数据可供分享。 我们确实制造了基于引线框的多芯片电源块(双 FET)设备,这些设备的测试与我们的离散单 FET 相同。 我相信您习惯使用的高功率模块是基于基板而不是导联框架构建的,它们经过测试,符合为这些组件优化的类似行业标准。 请告诉我是否可以提供进一步帮助。
此致,
约翰