[参考译文] CSD19536KCS：电源循环(ΔTj)和加热循环(ΔTc)

萨诺-桑您好，

很高兴再次听到您的声音。 感谢您澄清您的操作条件。 我可以估计电流波形的功耗。 热能循环，ΔTj 和热循环，ΔTc 是否分别是接线温度和外壳温度的变化？ 我可以使用数据表第4页图1中的瞬态热阻抗曲线来估算 ΔTj。 但是，ΔTc 取决于系统的散热装置(即散热器，气流，环境等)。

参考瞬态热阻抗曲线，如果脉冲宽度为12秒，则为12秒接通，5分钟关闭，Zθjc =1表示4%的占空比(12秒/ 5分钟)。

要估计 FET 中的传导损耗：

P =(IRMS x IRMS) x RDS_ON =(113A/2 x 113A/2) x (2.7mΩ x 1.5)，其中1.5是电阻的标准化值(参见数据表第5页的图8)，假设 TC = 100°C

P = 12.9W

要估算结点温度升高：

ΔTj = P x Zθjc x Rθjc = 12.9W x 1 x 0.4°C/W = 5.2°C

这将是30分钟或1小时内的相同估计值。 我不知道系统的热时间常数，因此我无法告诉您在5分钟后结温是否会回到同一个起点。 如果您有任何疑问，或者我的假设不正确，请告诉我。

此致，

约翰·华莱士

TI FET 应用

你好，约翰-桑，

很高兴听到您的讲话，并感谢您 的解释。

我理解缺乏热时间恒定信息。  我们系统的热时间常数为100秒  

我想知道的是 ΔTj 和 ΔTc 的生命周期。 (我附上了生命周期图示例。)

在我之前提出的问题中，您能否在使用条件下提供 ΔTj 和 ΔTc 的生命周期？  

萨诺-桑，您好！

我已要求我们的质量可靠性工程师对此进行研究。 TI 通常不会为我们的 FET 提供此类产品。 您提供的曲线似乎是针对 IGBT 模块的，我们真的不知道这对离散 MOSFET 器件有多大适用性。 工程师正在研究这一问题。 我将在收到更多信息后立即与您联系。

此致，

约翰

你好，约翰-桑，

感谢您的回答，并对我的延迟回复表示抱歉。

我知道 MOSFET 热循环测试是在加速老化测试后进行的，所有 MOSFET 都已在您的测试摘要中通过。

我同意这一点，这表明内部焊料(模具/LF 互连)和铝线芯片的坚固性。

但是，我仍然不理解一个芯片 FET 和多芯片电源模块之间的测试方法差异。

为什么只对多芯片电源模块执行生命周期测试？

为什么没有对一个芯片 MOSFET 执行生命周期测试？

你会告诉我原因吗？

此致，

光满三野

萨诺·桑

John 直到星期一才离开办公室，因为我没有看到所提供的信息，我很难做出回应。 约翰回到办公室后会回答。

我只能说我们执行了行业标准 MOSFET 测试 HTRB，HTGB，THB，AutoClave，间歇工作寿命(IOL)和温度周期。

从竞争对手的 IGBT 模块看，一份鉴定报告显示了他们执行 热冲击(我们称之为温度循环)和动力循环(我们称之为 IOL)的力学寿命测试。 似乎具有多芯片的 IGBT 模块执行的机械测试与我们执行的相同，但名称略有不同。

正如我所说，我真的不知道发送了什么，约翰可以在星期一更全面地回答，但我希望这些信息可能会有所帮助。

此致

克里斯

您好，克里斯-桑，

感谢您的热情支持。 我会等约翰·桑的回复！

此致，

光满三野