This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ2972:能否使用串联电阻来调整 MOSFET 的 RDS 值

Guru**** 1489625 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD16406Q3
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1074370/bq2972-can-i-use-a-series-resistance-to-adjust-the-rds-value-of-the-mosfet

部件号:BQ2972
“线程”中讨论的其它部件:CSD16406Q3

尊敬的团队:

我在我的传感器电路中使用过 BQ29728ESR IC。 它用于保护3.7V 500mAh 锂离子电池。  我的充电电流小于250 mA。 我正在使用两个 CSD16406Q3充电 MOSFET。 很遗憾,我无法更换电路中的 MOSFET。 但是,有一个0欧姆系列电阻器是电路(R12)。 请参阅下面的屏幕截图。  

这些是我的要求。 我需要过电流放电保护和过电流充电保护--> 1A。 是否有办法使用我当前的设置来满足这一要求? 我能否调整 R12的值以满足我的要求。 我对这里的计算有点困惑。 那么,您能为我的电路建议 R12的值吗?

我们非常感谢您的帮助。

谢谢你。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,Adarsh,

    由于该部件检测到 V 和 VSS 之间的差分测量存在过电流保护,我认为这可能起作用,但我们尚未对此进行测试。 考虑到 FET 的 RDSon 随栅极源电压变化。 请参阅 FET 的数据表。

    计算可能会因所选零件而异。 如果您在放电(OCD)期间选择了100-mV 的过电流阈值。 您需要 V 和 VSS 之间的总电阻为(100-mV)/(1-A)=~100-mOhm,这将是两个 FET 的 RDSon +您的系列电阻 R12。

    此致,

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛门