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[参考译文] LM3150-500EVAL:LM3150MHX

Guru**** 656470 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD16342Q5A, LM25145, LM3150, LM25149, LM25148, LM5146, LM5145, LM63460-Q1
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1073892/lm3150-500eval-lm3150mhx

部件号:LM3150-500EVAL
线程中讨论的其他部件:CSD16342Q5ALM25145LM3150LM25149LM25148LM5146LM5145LM63460-Q1

您好 TI,

我将在 PCB 板中使用此转换器进行以下配置:  

VIN = 12 V 至20 V

输出电流= 6A

输出电压= 5 V

环境温度= 90摄氏度

使用  CSD16342Q5A FET (楔形板建议部件),在评估板应用手册 AN-1900 (SNVA371)中,PCB 设计有用于放置 FET 的 PCB 布局,

我的问题是,我是否遵循布局,它 是否达到 FCC B 级辐射发射测试?。

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    您好,

    LM3150采用较旧的印刷电路板布局设计。 请查看应用手册 SNVA803中所述的功率级布局技术。 另外,请参阅 LM25145和 LM25148数据表中的 PCB 布局指南。 LM5145,LM5146和 LM25149 EVM 值得一看,只是为了查看 MOSFET 和输入电容器的位置,因为这对于最大限度地减少辐射 EMI 至关重要。

    此致,

    蒂姆

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    尊敬的蒂莫西:

    我已经阅读了应用手册 SNVA803。为了减少 EMI,很明显,主板将在85摄氏度的环境温度下工作,它是否能够承受? 请就散热(在切换节点)发表评论。如果我的设计与 LM3150的应用手册 SNVA803中提到的一样,  环境温度范围应该是什么?

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    您好,一般建议尽量减少 SW 节点铜面积,因为这是一个辐射节点。 低端 FET 的散热由电感器完成(连接到 VOUT 平面),而 VIN 铜线区域为高端 FET 提供散热。

    环境温度并不是具有功耗的 IC 的主要参数。 这实际上是结点温度,因为结点到环境温度的上升是基于内部功率损耗。 对于大多数控制器,建议的最大 TJ 为125°C LM5146和众多汽车级控制器的额定温度为150°C

    查看 LM5146和 LM25149 EVM 的设计,它们基于应用手册 SNVA803中使用的技术。 事实上,我建议在此处使用 LM25148或 LM25145 42V 控制器,而不是 LM3150。 另一个选项(布局更简单)是使用具有内部 FET 的转换器,例如 LM63460-Q1是最近发布的36V/6A 转换器,如果需要,TI 商店目前有一些 IC 库存。

    此致,

    蒂姆