您好，
我目前正在寻找一个四路(或八路)高侧驱动器，它可以支持高达32V 的线路电压。
我已经检查 了 TPIC44H01数据表，并注意 到 OVLO 会将其设置为最小27.5V，但 VPWR 应能承受高达40V 的电压。
首先，我想知道是否可以通过任何方式禁用此功能。
如果无法做到，我想知道我是否可以通过齐纳二极管或调节器将 VPWR 电压降低到24V，然后依靠充电泵提供必要的高栅电压来打开 MOSFET。
我正在使用逻辑电平 VGS MOSFET 进行这种设计，因此启动起来不会很困难。 此修改是否会导致其他问题？ (我猜是 OVDS 还是内部齐纳二极管钳？)
非常感谢您的建议。
谢谢你。
埃里克
埃里克，您好！
感谢您提供更多详细信息！
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您可能能够执行以下操作，但这会带来一些妥协：
妥协： 这样做，您将基本上绕过“OVDS”保护。 如果没有这种保护，您可以继续操作。
关于您的 V_GS 问题，我同意这是一个重要的考虑！ 查看第6页上的“电气特性”表(请参见下图)，这将使您高枕无忧。 如果您提供 V (PWR) 24V 电压，则您将获得最大充电泵电压40V。 有关充油泵的更多信息，请参阅第14页上的"充油泵操作"部分。
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我希望这有助于澄清事情并回答您的问题！ 如果您还有其他问题，请随时跟进。
谢谢，
亚伦·格格里希
你好， Aaron，
感谢您指出 VCP 系列。 我知道这一点，但我更担心下面两条线路的浇口驱动电压。
我认为此处的 VG 表示片式 GND 的栅极电压。 如果正确，那么当 VRIN 为32V 且 VPWR 为24V 时，VGS 将低于打开 MOSFET 所需的 VGS。 请在此澄清。
最佳
埃里克
埃里克，您好！
您需要什么 V_GS 才能打开 MOSFET？
是的，"V_G"与接地有关。
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如果您为 V_PWR 提供24V 电压，则栅极驱动器的输出应大约为40V。 您所参考的"V_G"规格只是显示了门驱动器将推出的电压范围，其范围为 V (PWR)，范围为8V 至24V。
充油泵电压 V (CP)将与 V_G 相同，因为它是供高压侧驱动器使用的电源。
请参阅下面的"充油泵"部分：
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因此，如果 您给 V(PWR) 24V 电压，则充电泵的电压应该大约为40V。
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我希望这能有所帮助！
谢谢，
亚伦·格格里希
