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[参考译文] BQ28Z610-R1:数据闪存访问

Guru**** 1831610 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO, BQ78Z100, BQ28Z610
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1077357/bq28z610-r1-data-flash-access

部件号:BQ28Z610-R1
“线程”中讨论的其它部件:BQSTUDIOBQ78Z100BQ28Z610TEST

您好,

关于仪表校准,我想更新单元增益,Pack 增益等的校准值。
为了了解这种机制,我在 bqStudio 中使用 Advance Comm。 sluuc81.pdf 描述了对 DF 的写入和对 DF 的读取。 我可以从 DF 读取数据,但写入不会更改所需的值。

如果我根据 TRM 中的示例执行细胞增益命令...        
要更新数据1,请使用命令= 0x3E 发送块写入
Block =起始地址+ DF 数据块
          = 0x00 + 0x40 + data1_LowByte + data1_HighByte
          = 0x00 + 0x40 + 0x62 + 0x2F

0x2F 62 = 12130

...下一个读取自 DF 中的值仍是上一个12139 (0x2F 6B)。

一个想法我做了些什么错?

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    你好马丁,

    还有一些其他线程,其中包含有关校验和的附加信息,您也必须编写这些信息。 我已经附上了一份专为 BQ78Z100设计的简短指南,但它也适用于 BQ28Z610。

    e2e.ti.com/.../1106.writing-to-dataflash.pdf

    顺祝商祺!

    威瓦特·凯勒

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    非常感谢。 这正是我想要的。 特别是 Onyx 的指南有重要提示。
    但我仍然难以让它发挥作用。

    设备处于完全访问模式。

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    你好马丁,

    如果您尝试更新校准数据,则需要按照第 11.4.3节 CC 增益/容量增益校准中的 TRM 指南进行操作

    您应该能够直接修改该值,我可以更改 我的一侧的值,是否所有命令都已成功发送? 您可以截取仪表板的屏幕截图吗?

    顺祝商祺!

    威瓦特·凯勒

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    我遵循 TRM 指南第11.4.3节,但我坚持了“9”。 将新的 CC 增益容量增益值写入数据闪存。”

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    实际上,我用另一个工具尝试了相同的命令,它起了作用。

    因此,我可能对 bqStudio 和 Advanced Comm.

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    你好马丁,

    这很奇怪,因为它对我很有作用。 我建议再次尝试使用新测试版本的 bqStudio,这是最新版本,其中的修复程序最多。

    我很高兴您能使用其他工具来实现这一功能。

    顺祝商祺!

    威瓦特·凯勒