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[参考译文] LM3489:基于什么流程构建 LM3489

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS7H4010-SEP, TPS7H5001-SP
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1077330/lm3489-what-process-is-the-lm3489-built-on

部件号:LM3489
“线程”中讨论的其它部件:TPS7H4010-SEPTPS7H5001-SP

零件是否建立在双极性工艺上?  如果是这样,芯片构建过程的名称是什么?

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    您好,

    这似乎更像是设备的制造问题。  

    您能否为我提供您所需要的更多详细信息和细节?  我可以询问产品工程师,他们可能会提供更多信息。  

    流程中的问题是什么?您正在尝试解决什么问题?

    此致,

    吉米

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    我正在考虑在高辐射环境中使用此部件。  如果它是基于 CMOS 构建的,那么它很可能不起作用。  如果是双极或 BiCMOS,则可能值得测试。  例如,BICOM3HV 过程比其他过程更具辐射耐受性。

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    您好,Chris,

    我无法评论制造流程信息,但可以提供其他解决方案,这些解决方案可能更适合您的需要。

    也许您可以查看以下选项:

    TPS7H4010-SEP–32V 输入,6A 输出电流

    TPS7H5001-SP–新型 Rad 硬盘2MHz PWM 控制器,可用于降压和其他拓扑。  

    这可能是一个良好的降压转换器/控制器起点。

    此致,

    吉米