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[参考译文] UCD90320U：UCD90320U

admin
Guru**** 1831280 points
Other Parts Discussed in Thread: UCD90320U, UCD90160, UCD90120, UCD90320
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1080928/ucd90320u-ucd90320u

部件号：UCD90320U
“线程”中讨论的其它部件： UCD90160， UCD90120， UCD90320， TEST

 与 UCD90320， UCD90120和 UCD90160相比，UCD90320U 具有额外的单事件升级保护功能，它具有 ULA 注塑和 SEU 检测算法(8.4.20单事件破坏)。 我的问题是：

  1. ULA 注塑 在 UCD90120上不可用，或者 UCD90160是否有计划添加该注塑件。
  2. ULA 注塑和 SEU 检测  是否因特定原因而添加，其他部件是否容易受到 SEU 事件的影响。
  3. 对于非 ULA 模制的非 SEU 检测设备，其内部故障管理/看门狗计时器是否在发生 SEU 事件时重置了设备。
  4. 是否有任何数据可以根据 LEet 或其他有助于 评估的数据在上述任何设备中创建升级集？  

此致，

迈克

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    TI__Guru**** 1831280 points
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    你(们)好

    请参阅下面我的评论。

    1. UCD90120/UCD90160的 SRAM 和 Flipflop 尺寸小得多，因此它们的 SEU 性能要好得多。 因此，没有计划在这些设备上采用 ULA。

    2. UCD90320具有较大尺寸的 SRAM 和翻转器，但客户需要其密度来实现新的可靠应用。因此，我们只采用 ULA 来提供额外的保护。  

    3.未重置。

    4.我们确实有客户需要对 UCD90320U 执行中子光束测试。 在本例中使用的射束是由同步加速器下游的一个脉冲化靶产生的“白色”中子频谱(大气等)，产生的脉冲质子射束的能量最大为800MeV。 FIT 数据约为10-15

    希望这能有所帮助

    此致

    宜和

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    TI__Guru**** 1831280 points
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    感谢您的回复，我想要求您提供一些澄清，因为我不确定其中的一些答案。  

    1. 他们是否计划在 UCD90120/UCD90160上采用 SEU 检测？  
    2. 关于 SEU 检测，
      1. 是因为 TI 或客户测试以及芯片在特定环境下出现故障而添加了 U 型变体
    3. 在这种情况下，如果 SEU 继续运行，配置中出现错误，预期结果是什么？
    4. 您是否有关于非 U 型机型(如  UCD90120或 UCD90160)的测试信息
    5. 您是否知道这是否能够影响存储的配置闪存或仅影响运行时 SRAM 内存。
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    TI__Guru**** 1831280 points
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    你(们)好

    请参阅下面的我的答案：

    1.不是，因为他们的适应率相对较低。

    2.不能，只是客户要求一个更强大的解决方案，添加 ULA 最适合它。

    3.是的。持续运行

    不能，由于 SRAM 和翻转器尺寸小，它们的适合率相对较低

    5. SEU 仅对 SRAM 产生影响。 闪存类型未更改。

    此致

    宜和

  • 0
    TI__Guru**** 1831280 points
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    感谢您的回答，Yihe 非常乐于助人，

     UCD90320U 上是否有任何方法可以获得中子束测试信息？

    此致，

    迈克

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    TI__Guru**** 1831280 points
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    你(们)好

    原始答复中提供的是我们对它的了解。

    此致

    宜和

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    TI__Guru**** 1831280 points
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    好的理解。 希望最后一个关于  UCD90320U 闪存存储的问题是：

    配置是否为 ECC？ 如果是这样，所有非易失性存储器都有任何修正或清理。 ( 如果检测到可纠正的错误，它会在闪存中纠正，还是会累积错误？)

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    TI__Guru**** 1831280 points
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    您好，

    闪存具有 ECC。

    与 SRAM 相比，NVM 对 SEU 的敏感度要低得多。  

    只有在设备通电后，闪存数据才会复制到 SRAM 中。 此外，如果闪存中有一点翻转，当设备再次通电时，自检将失败，并且设备由于无效配置而停止工作。  

    此致

    宜和

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    TI__Guru**** 1831280 points
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    嗨，Yihe，  

    遗憾的是，如果闪存自检失败，我们的应用程序不允许我们在设备被发送到世界各地后重新配置设备。 这就是为什么我们担心配置闪存和基本程序闪存，否则，任何一个故障都会导致产品完全故障。

    此致，

    迈克

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    TI__Guru**** 1831280 points
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    你(们)好

    正如所说，闪存除了 ECC 外，没有 SRAM 敏感。我们迄今没有听到任何报告。 如果您的系统真的需要零贴合率，您可以考虑冗余。  

    此致

    宜和