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[参考译文] LM5060-Q1:LM5060-Q1

Guru**** 2503605 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5060

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1083156/lm5060-q1-lm5060-q1

部件号:LM5060-Q1
“线程:LM5060测试”中讨论的其它部件

你好

我使用了 TIDA001168中的 LM5060电路板布局设计两个问题:

1)当我使用 C 定时器电容器0.047uf 时。EN 变高后,电容会进行6uA 斜坡,Vgs 达到5V,电容放电为300mV。然后电流在11uA 时开始充电,电流达到2V,Vgs 关闭。

 我已经了解了所有设置和组件。所有设置和组件都与 TIDA001168中的设置和组件相同。请参阅随附的 sch。

 -输出 KL40被隔离,未连接到任何电源或负载。

 输出上升,VGS 关闭后,输出下降,这种情况持续重复。

2)我已经拆下了 C 计时器并接地了计时器针脚。这工作正常。MOSFET 打开和关闭,我可以使用 EN 并禁用它们。 (当然,我没有这条线路提供的所有保护)

3)计时器接地。

 我并行连接其中两块板。P48V 来自不同的电源。

 - KL40很常见,并连接到外部50V 电源。

KL40压力下无负载和无电源

 ——当我对 LM5060应用 EN 时,我无法启动 MOSFET

 - P48V 上有49V 电压。 KL40保持0V

带 KL40 = 49V

 ——电路工作正常,我可以打开和关闭断路器。

需要您的见解。

谢谢

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    Shahram,您好!

    感谢您的帮助!

    请您分享每个案例的测试设置,测试条件和测试波形以了解问题。

    此致,Rakesh

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    你(们)好

    请参见上面第1波的波形

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    Shahram,您好!

    它看起来像是一个 VDS 故障(类似于数据表中的图23)。 这里的负载是什么?

    此致,Rakesh

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    你好,Rakesh

    输出(KL40侧)未连接。除设定 UVLO 和 OVP 限值的盖子,二极管和电阻器隔板外,输出已卸载...

    我测量出外引脚和传感器引脚传感器>外引脚约350mV

    此致

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    再多一个注释

    KL40至 GND 侧为~23KOHM

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    你好,Rakesh

    Rsense 和 Rout 似乎不正确并导致故障。

    我已经计算并尝试了各种值,但我似乎没有正确。

    1)使用了 TIDA001168值。 RS = 2.87K,Ro = 20.5K。我们看到了我之前解释的行为。

    2)将 Ro 编号从1000到15K 不等,FET 开始,但当我带走 enable 时。 OUT 不会一直关闭。从49V 降至42V ...但不降至0V。MOSFET 似乎通过 LM5060成为载体并加热。

    请根据上述 sch 和这些参数建议 Rs 和 Ro 值

    - KL40-GND 连接到外部世界。 电压为40-65V 直流。

    P48V-GND 是我们设计的内部组件,将在46V-51VDC 之间浮动。我们对此有非常准确的控制。 CV 源和受控电流。 50 V 进入 P48V 时,最大电流为10A。

    谢谢

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    Shahram,您好!

    感谢您提供详细信息。 在第二种情况下,您是否测量了栅极到源电压?

    请尝试以下更改,并告诉我它是否有帮助。

    1.  RS = 2.87K,Ro = 1K {我们需要使用数据表中的方程式21来设置断路器电流阈值}

    2.将 Ro 连接到公共源点,如下所示。 {输出为有源总线的 Ro 连接可能会将电流泄漏到栅极}

    此致,Rakesh

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    你好,Rakesh

    我没有衡量...会做什么

    我试过1次。 Rs2.87K 和 Ro1K。MOSFET 打开,所有看起来都很好。 但是,当我禁用 EN.电压 GORS 时,从 KL40上的49V 降至44V。我累了拉2A 的电流,认为电流盖保持了电压上升。但 FET 没有完全关闭,持续供电为44V,MOSFET 变热。

    将尝试2。今天晚些时候,谢谢。

    我应该使用什么值... Rs2.87K 和 Ro? 1000或20.5000?

    谢谢你

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    使用  Rs=2.87K 和 Ro=1K

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    好的,我按照你的建议把罗搬到了 Q903的里面。没有做太多。

    然后我将 R 移到了 Q903的 P48V 一侧。没有做太多,MOSFET 关闭,没有栅极活动。

    然后我意识到 UVLO 不是很高,因为电源总是从 P48V 端开始。所以我也把它移到了那个端。

    现在一切都很好,运行正常

    您是否发现 Ro 和 Rs 的现状有任何问题?

    感谢您的支持

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    将  Ro 保持在 Q903的内部是具有主动总线处于 Vout 状态的系统的更好选择。 这可避免向浇口泄漏任何电流。

    此致,Rakesh