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[参考译文] TPS23756:请求 MOS 规范审查

Guru**** 2522770 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1082467/tps23756-asking-for-the-mos-spec-review

部件号:TPS23756

大家好,团队

针对  54V 至12V 应用设计 TPS23756PWPR 的用户设计。

客户希望评估第二个 MOS 源。

请您查看第二个 MOS 规范并提供评论吗?

从357MN763100000000D 更改为 357G763N10022900HF。

下面是示意图和 MOS 规格链接。

https://txn.box.com/s/go3t6bz7klzqw2fdi3kalc0yrb438z9h

密码:“TI”

巴西,

SHH

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    您好,  

    由于 VDS 不是150V,因此我也不推荐使用。  

    否则,转换是正常的。第二个 FET 的额定电流较低,但效率更高,速度更快。 不需要更高的额定电流,因此没关系。 但我强烈建议使用150V FET。  

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    此致,  

     

    迈克尔·P.

    应用工程师

    德州仪器(TI)  

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    迈克尔:

    客户反馈,TI 的 EVM VDS 为100V。请告诉我我们为什么要在此处推荐150V?

    客户还提供备选 MOS,您是否会帮助检查它是否正常? 感谢您的帮助!

    e2e.ti.com/.../MOS.zip

    巴西,

    SHH

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    您好,  

    150V VDS 额定值为过电压提供了更多的余地。 估计最大标称电压为~65V。 这并不是过度拍摄的理由。 如果我们为过冲增加15V,则已经是80V。 这取决于客户希望获得多少利润。 产品线始终建议电压为150V,因为我们从未看到过这种电压的问题。  

    如果客户想要选择更低的选项,则他们可以选择。  

    否则,转换是正常的。第二个 FET 的额定电流较低,但效率更高,速度更快。 不需要更高的额定电流,因此没关系。

     

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    此致,  

     

    迈克尔·P.

    应用工程师

    德州仪器(TI)  

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    迈克尔:

    感谢您的评论。

    请查看随附的 VDS 150 MOS 并提供您的意见? 非常感谢!

    e2e.ti.com/.../HGN155N15S_5F00_V1.0_A000_datasheet_2D00_121420_2800_1_2900_.pdf

    巴西,

    SHH

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    该 FET 使用正常。  

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    此致,  

     

    迈克尔·P.

    应用工程师

    德州仪器(TI)