大家好,团队
针对 54V 至12V 应用设计 TPS23756PWPR 的用户设计。
客户希望评估第二个 MOS 源。
请您查看第二个 MOS 规范并提供评论吗?
从357MN763100000000D 更改为 357G763N10022900HF。
下面是示意图和 MOS 规格链接。
https://txn.box.com/s/go3t6bz7klzqw2fdi3kalc0yrb438z9h
密码:“TI”
巴西,
SHH
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大家好,团队
针对 54V 至12V 应用设计 TPS23756PWPR 的用户设计。
客户希望评估第二个 MOS 源。
请您查看第二个 MOS 规范并提供评论吗?
从357MN763100000000D 更改为 357G763N10022900HF。
下面是示意图和 MOS 规格链接。
https://txn.box.com/s/go3t6bz7klzqw2fdi3kalc0yrb438z9h
密码:“TI”
巴西,
SHH
迈克尔:
客户反馈,TI 的 EVM VDS 为100V。请告诉我我们为什么要在此处推荐150V?

客户还提供备选 MOS,您是否会帮助检查它是否正常? 感谢您的帮助!
巴西,
SHH
您好,
150V VDS 额定值为过电压提供了更多的余地。 估计最大标称电压为~65V。 这并不是过度拍摄的理由。 如果我们为过冲增加15V,则已经是80V。 这取决于客户希望获得多少利润。 产品线始终建议电压为150V,因为我们从未看到过这种电压的问题。
如果客户想要选择更低的选项,则他们可以选择。
否则,转换是正常的。第二个 FET 的额定电流较低,但效率更高,速度更快。 不需要更高的额定电流,因此没关系。
如果此帖子回答了您的问题,请将此主题标记为已解决。 谢谢你。
此致,
迈克尔·P.
应用工程师
德州仪器(TI)
迈克尔:
感谢您的评论。
请查看随附的 VDS 150 MOS 并提供您的意见? 非常感谢!
e2e.ti.com/.../HGN155N15S_5F00_V1.0_A000_datasheet_2D00_121420_2800_1_2900_.pdf
巴西,
SHH