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[参考译文] TPS610982:EIPD 的保护电路问题

Guru**** 670150 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS610982
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1086167/tps610982-protection-circuit-question-to-eipd

部件号:TPS610982

您好,

客户正在使用 TPS610982。

现场持续出现缺陷。  报告结果为 EIPD。

客户希望添加保护电路以改进 EIPD。

请在示意图中提供 EIPD 改进的保护电路指南。

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    你好,Cho,

    请与我分享他们的布局吗? 非常感谢您的联系!

    -文浩

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     您好,韦浩,

    我已附加文件。

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    你好,Cho,

    可以改为向我发送屏幕截图吗? 我无法打开您的附加文件。

    -文浩

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     您好,韦浩,

    我已附上 pdf 文件。

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    你好,Cho,

    我认为布局看起来不错。 IC 和输出电容器之间的距离正常,但电容器的值限制了其在去耦合 Vout 外观中的影响。 请将 C32的值更改为2.2uF/0603?  

    -文浩

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     您好,韦浩,

    谢谢你。

    是否有其他保护电路?

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    你好,Cho,

    是的,认为这是 SW-GND 短路。 我看到的最可能的原因是对 LSFET 的压力。 有多种方法可以确认最小化应力:

    1.使用最小回路方法测量 SW-GND 电压。 使用最大范围带宽和最大探测带宽来测量此电压。  

    最小循环方法:

    2.如果确认开关电压太大(高于4.2V)。 在开关和接地之间放置一个 R-C 缓冲器。 这将减少对 LSFET 的压力。 您需要测量并检查真实板上的缓冲器规格。 通常,我从2.2欧姆/0603+1nF/0402开始。

    -文浩