主题中讨论的其他部件: UCC2.7511万A, UCC2.7511万
大家好,
我的一位客户计划将UCC2.7511万A更换为LM5114。
目前,他们有以下问题。 请你给我答复。
问题1. LM5114是否使用混合结构(PMOS+NMOS)用于VDD-P_OUT之间的高侧开关,与UCC2.7511万A相同?
问题2. LM5114低压侧接通电阻(0.23欧姆典型值)低于UCC2.7511万A一(0.375欧姆典型值)。
但是LM5114接收器峰值电流(7.6A典型值)低于UCC2.7511万A 1 (8A典型值)。
原因是什么?
问题3. LM5114峰值源电流为1.3A典型值。 我知道电流的变化取决于高侧MOS的电阻。
如果高侧MOS电阻过低,LM5114是否可能损坏?
问题4: 如果LM5114 P_OUT / N_OUT驱动电容器大于10nF, LM5114是否可能损坏?
因为我认为LM5114在大电容驱动的情况下会变热。
由P_OUT / N_OUT驱动的最大电容是多少
非常感谢您的回复。
此致,
Kazuya。