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[参考译文] LM5114:有关LM5114输出峰值电流和上拉电阻的问题。

Guru**** 665180 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5114
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1090575/lm5114-questions-about-lm5114-output-peak-current-and-pullup-resistance

部件号:LM5114
主题中讨论的其他部件: UCC2.7511万AUCC2.7511万

大家好,

我的一位客户计划将UCC2.7511万A更换为LM5114。
目前,他们有以下问题。 请你给我答复。

问题1. LM5114是否使用混合结构(PMOS+NMOS)用于VDD-P_OUT之间的高侧开关,与UCC2.7511万A相同?
问题2. LM5114低压侧接通电阻(0.23欧姆典型值)低于UCC2.7511万A一(0.375欧姆典型值)。
    但是LM5114接收器峰值电流(7.6A典型值)低于UCC2.7511万A 1 (8A典型值)。
    原因是什么?
问题3. LM5114峰值源电流为1.3A典型值。 我知道电流的变化取决于高侧MOS的电阻。
    如果高侧MOS电阻过低,LM5114是否可能损坏?
问题4: 如果LM5114 P_OUT / N_OUT驱动电容器大于10nF, LM5114是否可能损坏?
    因为我认为LM5114在大电容驱动的情况下会变热。  
    由P_OUT / N_OUT驱动的最大电容是多少

非常感谢您的回复。

此致,

Kazuya。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     您好Nakai-san:

    感谢您联系我们!

    ---------

    以下是我对您问题的回答:

    1. 否,LM5114不使用混合拉拔结构。
    2. 不同测量的原因是它们是在不同的测试条件下测试的。  它们在不同的VDD级别和不同的电流级别进行测试。
    3. 看情况而定。  只要驱动器没有消耗过多的热量/功率,就应该是正常的。  这取决于您正在驱动的电容T和切换频率。  当峰值源电流低于大多数时,您可能会使用几欧姆的栅极电阻器。
    4. 它取决于VDD,C_Load和切换频率。  所需的方程式位于数据表的"功率耗散"部分。
      1. UCC2.7511万还有一个更全面的功率消耗部分,如果您也想参考该部分!

    ---------

    我希望这对您有所帮助并解答您的问题!

    亚伦

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    您好Aaron,

    非常感谢您的回复。

    由于您的支持,客户和我都能很好地理解LM5114。

    再次感谢,此致,

    Kazuya。

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    不用客气!  很高兴我能帮到你!

    亚伦