您好，
我们使用P-MOSFET，电源连接至24VDC电源，漏极连接至继电器线圈一端，继电器另一端连接至接地。 对于任何栅极电压VGS=5V或VGS=0V，MOSFET继电器将始终打开(漏电=24V)。
请参阅所附的示意图，MOSFET不会切换给定栅极电压，它始终仅处于源-漏电闭合状态。 无法关闭继电器/负载。
请建议解决此切换问题。
谢谢，此致，
Naveen K
John Wallace，您好！
感谢您提供信息，感谢您的快速响应。
很抱歉我在原理图上的错误(24V改为19V)，电源电压仅来自电源适配器，而不是24V。
请建议：
1.给定的示意图是否正确？
2. MOSFET未切 换至关闭状态。 要关闭MOSFET，R28上的5V将不工作？ 需要更高的电压？
3. 如果我们的原理图正确，R28上切换MOSFET所需的电压范围是多少？ 如果我们 通过R28提供+11V至+19V之间的电压，MOSFET将会切换？
4.如果我们改为采用相同原理图的其他MOSFET，我们需要选择的MOFET VGS是多少？ 请告知，我们必须做哪些更改才能实现这一目标？
谢谢，此致，
Naveen K
您好，John：
感谢您提供信息。
我们需要您的建议 ，以了解以下选项是否可以使用的更多信息。
1.我希望现有的原理图不能 用晶体管取代MOSFET，对吗？
2.我们还有 另一个12伏电源(线圈电压)应用，我们是否可以在R28上驱动12伏电压(如以下示意图所示)？
3.我们还有 另一个12伏电源(线圈电压)应用，我们是否可以在R28上驱动12伏电压，如以下示意图所示，将会发出火花？
4.我们能否将P通道MOSFET替换为N通道 ，如同在高端时一样？
谢谢，此致，
Naveen K
您好，John：
感谢您的建议。
最后一个问题，请给出建议。
2.您要求将栅极(R28)连接到电源(然后，VGS=12-12=0V)，而源=12V，栅极(R28)=5V。 如果我错了，请纠正我。 在数据表中， RDSON中提到的VGS范围是-1.8V至-8V。 因此，如果"Source=12V & Gate=5V"，VGS=5-12V=-7V，-7V 在提及的VGS范围内，并且MOSFET将关闭，对吗？ 请告知您为什么建议将电源电压连接 到栅极电压？
2.b. 可使用什么VGS量程关闭MOSFET (根据数据表/表格)？
3.当光电晶体管打开时，如果(R28)=12V且Source=12V。 R29=5K，Gate=3.92V和VGS=3.92V-12V=-8.08V，它只会导致MOSFET关闭(始终)？ 那么，R29应该小于4K对吗？
3.b. 是的，我们不应该将0V (接地)应用到栅极针脚上，而是关闭MOSFET，对吗？ 它会导致VGS=0V-12V=-12V，如果 电源=>12V，它将超过VGS ABS最大电压±12V，对吗？
*我们正在 通过1K电阻器将光电隔离器/光电晶体管阳极/输入连接到CC3220MODSF12MODR Wi-Fi模块。 我们正在驱动 19V MOSFET电源。 如果MOSFET /光电晶体管上的任何损坏也导致 Wi-Fi模块出现问题/故障？
谢谢，此致，
Naveen K
