This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS55.2882万-Q1:关于TPS55.2882万-Q1 MOSFET的栅极电压

Guru**** 2587365 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1089303/tps552882-q1-about-the-gate-voltage-of-the-mosfet-of-tps552882-q1

部件号:TPS55.2882万-Q1

我正在尝试使用12至28V的电源和4.2V的2.8 电池驱动TPS55.2882万-Q1。
如果我选择一个可以由电池电压驱动的MOSFET,则VGS额定值将为12伏。 即使我寻找它,如果VGS是30V,VGS的阈值电压也会很高,它不能由电池驱动。
仔细查看数据表,DRL1的绝对额定值为6V,DRH1为SW1 + 6V。 这是否意味着MOSFET的栅极不会超过6V?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,Sato:

    您能否在此处展示您的原理图? 我不理解您使用的蓄电池连接以及此处所指的VGS额定电压。 400KHz-EVM上的降压侧MOSFET推荐为 Infineon的IPZ40N04S5L4R8ATMA1。

    高端MOSFET的栅电压等于(DR1H-SW1),低端MOSFET的栅电压等于(DR1L-GND)。

    BRS,

    布莱斯

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    蓄电池和12-28V电源(A)通过二极管并联连接。 当电源(A)较高时,电源(A)的电压将提供给TPS55.2882万-Q1。 未连接电源(A)时,将提供蓄电池电压。

    VGS额定值是VGSS (栅极-源电压)的绝对最大额定值。

    当由蓄电池供电时,IC将以最低2.7V的电压工作。 因此,当我选择栅极电压为2.5V或更低,流速为10A或以上的MOSFET时,我只能找到一个绝对最大额定值为12V或20V的MOSFET。 当时,如果供电电压是以供电电压(A)的28V供应,我担心超过绝对最大额定值的电压可能会施加在MOSFET的栅极上,而可能会被损坏。

    请问高侧MOSFET和低侧MOSFET的栅极所施加的电压(最大值)是多少?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,Sato:

    栅极和电源之间施加的最大电压由VCC决定。 和VCC通常调节为5.2V。 因此,您无需担心它会超过VGSS的绝对最高评级。

    顺便说一下,您的输出电压值是多少? 提供蓄电池电压时,将根据输出电压确定内部LDO电压。

    BRS,

    布莱斯

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 ,Sato:

    很抱歉,我现在将关闭该线程,如果您有更多问题,请重新打开它。 谢谢。

    此致,

    布莱斯