我正在尝试使用12至28V的电源和4.2V的2.8 电池驱动TPS55.2882万-Q1。
如果我选择一个可以由电池电压驱动的MOSFET,则VGS额定值将为12伏。 即使我寻找它,如果VGS是30V,VGS的阈值电压也会很高,它不能由电池驱动。
仔细查看数据表,DRL1的绝对额定值为6V,DRH1为SW1 + 6V。 这是否意味着MOSFET的栅极不会超过6V?
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我正在尝试使用12至28V的电源和4.2V的2.8 电池驱动TPS55.2882万-Q1。
如果我选择一个可以由电池电压驱动的MOSFET,则VGS额定值将为12伏。 即使我寻找它,如果VGS是30V,VGS的阈值电压也会很高,它不能由电池驱动。
仔细查看数据表,DRL1的绝对额定值为6V,DRH1为SW1 + 6V。 这是否意味着MOSFET的栅极不会超过6V?
蓄电池和12-28V电源(A)通过二极管并联连接。 当电源(A)较高时,电源(A)的电压将提供给TPS55.2882万-Q1。 未连接电源(A)时,将提供蓄电池电压。
VGS额定值是VGSS (栅极-源电压)的绝对最大额定值。
当由蓄电池供电时,IC将以最低2.7V的电压工作。 因此,当我选择栅极电压为2.5V或更低,流速为10A或以上的MOSFET时,我只能找到一个绝对最大额定值为12V或20V的MOSFET。 当时,如果供电电压是以供电电压(A)的28V供应,我担心超过绝对最大额定值的电压可能会施加在MOSFET的栅极上,而可能会被损坏。
请问高侧MOSFET和低侧MOSFET的栅极所施加的电压(最大值)是多少?